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L’usine francilienne de X-Fab propose la fabrication de composants passifs intégrés

L’usine francilienne de X-Fab propose la fabrication de composants passifs intégrés

Le fondeur est désormais en mesure de fournir un service de fabrication de composants passifs intégrés dans son usine de Corbeil-Essonnes, avec l’objectif de miniaturiser les solutions dédiées aux applications radiofréquences et d’en réduire les coûts.

Le déploiement continu de l’infrastructure cellulaire 5G, le développement des communications 6G et l’émergence des dernières technologies de communications radar et par satellite, nécessitent des solutions fonctionnant à des fréquences toujours plus élevées. Ce qui n’est pas sans poser des problèmes, notamment au niveau des composants passifs utilisés.

Pour répondre à cette demande, X-Fab Silicon Foundries SE est désormais en mesure de fournir un service de fonderie pour la fabrication de dispositifs passifs intégrés ou IPD (integrated passive devices) dans son usine francilienne située à Corbeil-Essonnes, avec pour objectifs de miniaturiser les solutions dédiées aux applications radiofréquences et d’en réduire les coûts. Une annonce qui arrive à point nommé à quelques jours de l’ouverture de l’European Microwave Week à Berlin.

Pour cela, X-Fab exploite la technologie XIPD, dérivée de son procédé RF SOI en 130 nm (plateforme XR013), ainsi qu’une technique de métallisation cuivre en couche épaisse (une spécialité du site de Corbeil-Essonnes) afin d’intégrer divers composants passifs (inductances, condensateurs et résistances) directement dans la conception des produits, ce qui entraîne d’importantes économies d’espace et de coûts.

© X-Fab

Grâce à l’utilisation de la plate-forme XIPD, les demandes en matière de solutions de filtrage RF/EMI plus compactes, de réseaux d’adaptation, de baluns et de coupleurs peuvent être satisfaites via la fabrication de composants passifs de haute qualité entièrement intégrés et dotés de performances améliorées, selon X-Fab.

« Alors que la miniaturisation des semiconducteurs RF se poursuit, les composants passifs qui les accompagnent restent relativement volumineux, ce qui limite la miniaturisation des cartes électroniques, note Rudi De Winter, Pdg de X-Fab. En adoptant notre technologie XIPD, il est non seulement possible de réaliser des économies d’espace de plusieurs ordres de grandeur, mais cela se traduit également par une réduction des coûts associés, avec le potentiel de changer véritablement la donne pour nos clients, en permettant le co-conditionnement de matrices actives et passives, tout en atteignant des rendements élevés. »

L’objectif est également d’éviter le recours à des composants passifs discrets ou montés en surface, dont les performances peuvent être affectées à haute fréquence et dont l’approvisionnement peut s’avérer problématique, grâce à une approche plus efficace qui rationalise la conception globale du système, accélère les cycles de développement, simplifie la fabrication et réduit les dépenses d’ingénierie.

Selon le fondeur, ce service de fonderie unique en Europe pour la fabrication de composants passifs intégrés, est capable de prendre en charge des solutions fonctionnant sur une large gamme de fréquences, depuis la bande inférieure à 6 GHz jusqu’au haut de gamme de la bande mmW.

« Nous travaillons déjà sur des projets nécessitant un fonctionnement entre 70 et 80 GHz, ce qui serait impensable avec un arrangement à base de composants passifs discrets », précise Greg U’Ren, directeur de la technologie RF chez X-Fab.

Un kit complet de conception est disponible. Il est compatible avec les environnements de conception Cadence et Keysight ADS, permettant d’effectuer des simulations précises et de réaliser du premier coup une conception correcte du sous-système RF complet.

Précisons qu’à ce stade, le prototypage initial a d’ores et déjà commencé avec plusieurs clients clés.

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