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La technologie FD-SOI gagne en crédibilité et passe au 12 nm

La technologie FD-SOI gagne en crédibilité et passe au 12 nm

Après le 22 nm lancé il y a un an, le fondeur Globalfoundries a annoncé hier l’extension au 12nm de la roadmap technologique de sa plate-forme FD-SOI, crédibilisant encore davantage cette filière technologique développée en France autour de STMicroelectronics, Soitec et du CEA-Léti. Les premiers circuits devraient être lancés en production à Dresde en 2019.

globalfoundries-090916Surtout, le fondeur abandonne la concurrence frontale avec la technologie finFET pour recentrer les bienfaits du FD-SOI sur les besoins liés au développement d’une large gamme d’applications allant des applications mobiles avec connectivité 5G à l’intelligence artificielle et la voiture autonome.

« Certaines applications requièrent les performances indépassables que procurent les transistors FinFET », reconnaît aujourd’hui Sanjay Jha, CEO de Globalfoundries. Mais il ajoute : « la grande majorité des objets connectés nécessite des hauts niveaux d’intégration avec davantage de flexibilité au niveau des performances et de la consommation, à des coûts inaccessibles pour la technologie FinFET ».

Globalfoundries promet que cette nouvelle plateforme bénéficiera d’un niveau d’intégration inégalé (mémoires embarquées, circuits RF, logique haute performance) tout en offrant un degré de flexibilité inédit entre la performance et consommation.

NXP soutient le FD-SOI

Dans son communiqué, le fondeur assure que sa technologie FD-SOI 12 nm (baptisée 12FDX) offre les performances de la technologie FinFET 10 nm avec une plus faible consommation électrique et un coût moindre que la technologie finFET 16 nm. La plateforme offrirait des gains en performances de 15% et une consommation réduite de 50% par rapport aux technologies finFET actuelles. Pour appuyer ses arguments, Globalfoundries convoque dans son communiqué de presse, les analyses de diverses sociétés d’études (Linley Group, VLSI Research), du Léti, qui a participé au développement de la filière FD-SOI, de Soitec, qui fournit les tranches, etc.

Mais l’on retiendra surtout la déclaration de NXP Semiconductors, futur client de Globalfoundries pour sa technologie 12FDX.  « La prochaine génération de processeurs d’applications mutimédia i.MX de NXP tirera profit de la technologie FD-SOI pour conjuguer efficacité énergétique et performances pour des applications dans l’automobile, l’industriel et le grand public », assure Ron Martino, vice-président, responsable de la ligne de produits i.MX chez NXP Semiconductors.

Parallèlement, Globalfoundries a annoncé le déploiement d’un nouveau programme partenaires, FDXcelerator, dédié à la conception de puces basées sur la technologie 22FDX. Y participent : Synopsys, Cadence, Invecas, VeriSilicon, le CEA-Leti, Dreamchip et Encore Semiconductor.

Rappelons qu’en juillet 2015, Globalfoundries, deuxième fondeur mondial derrière TSMC, avait lancé sa plateforme technologique 22FDX pour la réalisation de semiconducteurs en technologie FD-SOI 22 nm. Cette technologie 22FDX est mise en place dans l’unité de production sur tranches de 300 mm de diamètre de Globalfoundries à Dresde. Le fondeur y a investi 250 millions de dollars pour le développement de la technologie FDX et l’établissement d’une capacité de production initiale.

Outre STMicroelectronics qui produit déjà en 28 nm, en mai 2014, Samsung avait aussi annoncé la signature d’un accord global avec ST portant sur la technologie FD-SOI en 28 nm en vue d’une production en collaboration multi-source. On ne sait pas trop pour l’heure où en est le Coréen avec cette filière, lui qui maîtrise aussi la filière finFET.

Les technologies FD-SOI s’appuient sur des substrats ultra-minces fabriqués à l’aide du procédé Smart Cut de Soitec. En juin dernier, Soitec avait annoncé qu’une partie des fonds levés à l’occasion Les fonds levés à l’occasion d’augmentations de capital serait destinée à financer les investissements de capacité industrielle pour la production de tranches FD-SOI de 300 mm de diamètre sur le site de Bernin II (environ 40 millions d’euros). Aujourd’hui, Soitec « se félicite de l’intérêt croissant de l’écosystème mondial autour de la technologie FD-SOI conçue et développée en France et en Allemagne, soutenue par leurs gouvernements respectifs et par l’Europe ».

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