TI investit 11 milliards dans une seconde fab 300 mm à Lehi
Texas Instruments a annoncé son intention de construire sa prochaine usine de fabrication de semiconducteurs sur tranches de 300 mm de diamètre à Lehi, dans l’Utah. La nouvelle usine sera située à côté la fab 300 mm existante de la société à Lehi, LFAB. Une fois terminées, les deux usines Lehi de TI fonctionneront comme une seule usine.
« Cette nouvelle usine fait partie de notre feuille de route de fabrication à long terme sur tranches de 300 mm pour renforcer la capacité dont nos clients auront besoin pour les décennies à venir. Avec la croissance prévue des semiconducteurs dans l’électronique, en particulier dans les secteurs industriel et l’automobile et l’adoption du CHIPS and Science Act, il n’y a pas de meilleur moment pour investir davantage dans notre capacité de fabrication interne », a déclaré Haviv Ilan, actuel COO de TI, qui prendra les rênes de l’entreprise en avril.
Cet investissement historique de 11 milliards de dollars marque le plus grand investissement économique de l’histoire de l’Utah. L’expansion de Lehi créera environ 800 emplois TI supplémentaires ainsi que des milliers d’emplois indirects.
La nouvelle usine fabriquera quotidiennement des dizaines de millions de puces de traitement analogiques et embarquées pour des marchés tels que l’industriel, l’automobile, l’électronique personnelle, les équipements de communication et les systèmes d’entreprise. La construction de la nouvelle usine devrait commencer dans la seconde moitié de 2023, avec une production dès 2026. Elle complétera les fabs 300 mm existantes de TI, qui comprennent DMOS6 (Dallas), RFAB1 et RFAB2 (toutes deux à Richardson, Texas) et LFAB (Lehi, Utah). TI construit également quatre nouvelles usines de fabrication de tranches de 300 mm à Sherman, au Texas.
