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TI réduit de moitié la taille des chargeurs et adaptateurs AC/DC grâce au GaN

TI réduit de moitié la taille des chargeurs et adaptateurs AC/DC grâce au GaN

Les derniers transistors à effet de champ en GaN avec pilote de grille intégré de l’Américain permettent d’atteindre un rendement supérieur à 95 % pour les conversions AC/DC au-delà de 75 W.

Texas Instruments a récemment enrichi son offre en composants à base de nitrure de gallium (GaN) avec des transistors à effet de champ avec pilote de grille intégré permettant de réduire de 50% la taille des chargeurs et adaptateurs AC/DC. Les modèles référencés LMG3622, LMG3624 et LMG3626 ciblent aussi bien les appareils grand public (adaptateurs de téléphone ou d’ordinateur portable, modules d’alimentation de téléviseur, prises USB murales, etc.) que les systèmes industriels (outils électriques, alimentations auxiliaires de serveurs, etc.).

© Texas Instruments

« Aujourd’hui, les consommateurs sont à la recherche d’adaptateurs de puissance plus compacts, plus légers et faciles à transporter, mais aussi capables de recharger leurs appareils rapidement et en économisant l’énergie, note Kannan Soundarapandian, directeur général en charge des solutions de puissance à haute tension chez TI. Grâce aux nouveaux composants ajoutés à notre portefeuille, les ingénieurs peuvent désormais tirer parti de la puissance volumique avantageuse de la technologie du GaN basse consommation sur de nombreux d’appareils. »

Précisons que ces transistors FET intègrent les fonctions de détection de courant les plus précises du marché, selon TI, ce qui permet de s’affranchir d’une résistance de shunt externe et concourt à améliorer le rendement des solutions exploitant ces composants, qui peut culminer à plus de 94 % dans le cas d’une conversion AC/DC inférieure à 75 W, voire à plus de 95 % pour les conversions au delà de 75 W.

Optimisés pour les topologies de conversion de puissance AC/DC les plus courantes (convertisseurs à transfert indirect quasi résonnants, en demi-pont asymétrique, convertisseurs à double inductance, correcteurs de facteur de puissance, etc.), les nouveaux FET de TI sont logés en boîtier QFN 38 broches de 8 x 5,3 mm.

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