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Toshiba abaisse à 1,2 V la tension directe de ses diodes Schottky 650 V en SiC

Toshiba abaisse à 1,2 V la tension directe de ses diodes Schottky 650 V en SiC

Les modèles de la série TRSxxx65H exploitent la technologie SiC de troisième génération du Japonais afin d’améliorer l’efficacité des alimentations à découpage, des stations de recharge pour véhicules électriques et des onduleurs photovoltaïques.

Toshiba Electronics Europe met à disposition de ses clients une douzaine de nouvelles diodes Schottky 650 V basées sur la technologie SiC de 3ème génération du fabricant japonais et conçues pour les applications industrielles critiques en termes d’efficacité, telles que les alimentations à découpage, les stations de recharge pour véhicules électriques et les onduleurs photovoltaïques.

© Toshiba

Référencés TRSxxx65H, ces composants s’appuient sur une structure de barrière de la jonction Schottky améliorée par rapport aux composants SiC de deuxième génération de Toshiba, avec un champ électrique à l’interface Schottky et un courant de fuite réduits, à des fins d’amélioration de l’efficacité.

Les composants de 3ème génération bénéficient d’une tension directe (Vf) abaissée à 1,2 V en valeur typique – soit 17% de moins que les 1,45 V des produits précédents – et d’une optimisation du compromis entre Vf et charge capacitive totale (Qc) qui est typiquement de 17 nC pour le modèle étiqueté TRS6E65H.
Qui plus est, le rapport entre Vf et le courant inverse (Ir) est également amélioré par rapport aux composants de deuxième génération, avec une valeur Ir typique de 1,1 μA pour reprendre l’exemple du modèle TRS6E65H. Autant de paramètres qui contribuent à améliorer la dissipation d’énergie et l’efficacité de l’équipement final.

Précisons enfin que les composants de la série TRSxxx65H sont capables de supporter des courants continus directs allant de 2 A à 12 A, selon les modèles, et des courants de surtension non répétitifs à onde carrée (IFSM) jusqu’à 640 A.

Sept des nouveaux composants sont logés dans des boîtiers TO-220-2L tandis que les cinq autres sont encapsulés dans des boîtiers CMS DFN 8 × 8 compacts et bas profil. Tous sont d’ores et déjà disponibles en volume.

 

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