Transistors GaN 150 V compacts à faible résistance à l’état passant

Offrant une empreinte sur le circuit imprimé compacte et identique à celle des modèles 100 V EPC2302 (1,8 mΩ) et EPC2306 (3,8 mΩ), les transistors Fet de 150 V en nitrure de gallium (GaN) d’EPC référencés EPC2308 affichent une résistance drain-source à l’état passant aussi faible que 4,9 mΩ.

Principales caractéristiques:

• Résistance drain-source à l’état passant : 4,9 mΩ (valeur typique)

• Boîtier QFN de 3 x 5 mm

• Boîtier à flancs mouillables pour simplifier l’assemblage et l’inspection

• Carte de développement associée de 50,8 x 50,8 mm (référence : EPC90148)

• Applications visées : moteurs pour outils électriques et robots, convertisseurs DC-DC 80 V-100 V haute densité pour l’industriel, redresseurs synchrones 28 V-54 V pour chargeurs, adaptateurs et alimentations, chargeurs rapides USB pour smartphones, micro-onduleurs pour le solaire, etc.

Fabricant: EPC (Efficient Power Conversion)

Référence produit: EPC2308