Transistors miniatures à haute densité de puissance et haut rendement
EPC (Efficient Power Conversion), spécialiste des transistors FET et des circuits intégrés de puissance en nitrure de gallium sur silicium (eGaN), améliore les performances des transistors en nitrure de gallium basse tension prêts à l’emploi avec l’introduction d’un FET eGaN de 40 V à faible résistance à l’état passant.
Conçu pour les solutions à haute densité de puissance, notamment les serveurs avec entrée 48 V à 54 V, ce transistor associe faibles charges de grille et pertes de récupération inverse nulles pour s’autoriser un fonctionnement à 1 MHz et plus, avec un rendement élevé et dans un encombrement réduit à seulement 10,6 mm2. L’utilisation de dispositifs eGaN à la fois du côté primaire et du côté secondaire permet d’atteindre une densité de puissance maximale supérieure à 4000 W/pouce3.
Principales caractéristiques:
• Résistance à l’état passant, RDS(ON) : 1,6 mΩ
• Rendement maximum pouvant dépasser 98%
• Parasites réduits par rapport aux FET GaN 40 V de la génération précédente
• Prise en charge des solutions DC-DC 48V – 12V allant de 500 W à 2 kW
• Carte de développement (EPC90139) : Vmax : 40V ; Imax : 40A ; montage en demi-pont avec pilote de grille embarqué ; dimensions : 50,8 x 50,8 mm
Fabricant: EPC
Référence produit: EPC2069
