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TSMC démarre une production de volume en 3 nm à Taïwan

TSMC démarre une production de volume en 3 nm à Taïwan

Le 29 décembre, TSMC a annoncé que sa technologie 3 nm est entrée en production de volume avec de bons rendements, et a organisé une cérémonie de lancement pour son installation Fab 18 Phase 8.

Le processus 3 nm de TSMC est la technologie de semiconducteur la plus avancée en termes de technologie de transistor (*). Par rapport au processus 5 nm (N5), le processus 3 nm de TSMC offre un gain de densité logique jusqu’à 1,6X et une réduction de consommation électrique de 30% à 35% à la même vitesse.

TSMC estime que la technologie 3 nm créera des produits finaux d’une valeur de 1500 milliards de dollars dans les cinq ans suivant la production en volume. Les phases 1 à 8 de la Fab 18 ont chacune une superficie de salle blanche de 58 000 mètres carrés, soit environ le double de la taille d’une usine de circuits logiques standard. L’investissement total de TSMC dans la Fab 18 dépassera 60,5 milliards de dollars, créant plus de 23 500 emplois dans la construction et plus de 11 300 opportunités d’emploi direct dans le secteur de la haute technologie, souligne le groupe taïwanais.

En plus d’étendre une capacité de production en technologie 3 nm à Taïwan, TSMC construit également une capacité de 3 nm sur son site en Arizona (voir notre article). TSMC a également annoncé que le centre mondial de R&D de la société dans le parc scientifique de Hsinchu ouvrira officiellement ses portes au deuxième trimestre de 2023, et qu’il sera doté d’un effectif de 8000 personnes. TSMC prépare également ses usines au 2 nm, qui seront situées dans les parcs scientifiques de Hsinchu et du centre de Taiwan, avec un total de six phases de déploiement.

« TSMC maintient son leadership technologique tout en investissant de manière significative à Taïwan. Cette cérémonie de production en volume et d’expansion de capacité de 3 nm démontre que nous prenons des mesures concrètes pour développer une technologie de pointe et étendre notre capacité à Taiwan. Nous visons à croître avec notre chaîne d’approvisionnement en amont et en aval et à développer les futurs talents de la conception à la fabrication, le packaging et les tests, l’équipement et les matériaux pour fournir la technologie de production avancée la plus compétitive et la capacité fiable pour le monde et stimuler l’innovation technologique dans le futur », a déclaré le président de TSMC, le Dr Mark Liu, lors de la cérémonie.

Une fois la production en volume commencée, la Fab 18 utilisera 20% d’énergie renouvelable pour atteindre à terme l’objectif de 100% d’énergie renouvelable et zéro émission d’ici 2050. D’ici 2030, l’usine fera appel à 60% d’eau récupérée, les ressources en eau étant critiques à Taïwan à cause de la sécheresse.

(*) Rappelons que, pour sa part, Samsung avait annoncé en juin 2022 le lancement d’une production qualifiée d’initiale en technologie 3 nm appliquant l’architecture de transistor Gate-All-Around (GAA). Le procédé optimisé 3 nm de Samsung permet de réduire de 45% la consommation d’énergie, d’améliorer les performances de 23% et de réduire la surface de la puce de 16% par rapport à la technologie 5 nm.

 

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