TSMC produit désormais en série des puces en technologie 2 nm

Le fondeur taïwanais a annoncé que la production en série de sa technologie 2 nm (N2), la plus avancée au monde, a débuté au quatrième trimestre 2025, comme prévu, dans sa Fab 22 implantée à Kaohsiung.

Alors que la Chine multiplie les exercices militaires autour de Taïwan, la production des puces les plus avancées au monde par TSMC, sur l’île, constitue sans doute la meilleure garantie pour Taipei de se prémunir d’une éventuelle attaque de Pékin car cette dernière priverait le reste du monde, et notamment les Etats-Unis, de ces semiconducteurs indispensables aux applications liées à l’IA et au calcul haute performance, ce que l’administration américaine ne saurait tolérer.

© TSMC

C’est pourquoi l’annonce du Taïwanais TSMC tombe à point nommé. Le numéro un mondial de la fonderie de semiconducteurs a récemment indiqué sur son site internet que « la production en série de sa technologie 2 nm (N2) a débuté au quatrième trimestre 2025, comme prévu ». Présentée par TSMC comme « la technologie de semiconducteurs la plus avancée au monde en termes de performances, de densité et d’efficacité énergétique », la technologie 2 nm, qui prend place dans la Fab 22 du Taïwanais implantée à Kaohsiung, intègre des transistors à nano-feuilles de première génération, offrant des performances et une consommation d’énergie nettement supérieures à celles d’une technologie de gravure traditionnelle. TSMC précise qu’il a également développé une couche de redistribution (RDL) à faible résistance et des condensateurs métal-isolant-métal (MiM) ultra-performants afin d’optimiser encore davantage les performances.

Pour la suite de sa feuille de route, TSMC prévoit le lancement d’un procédé de gravure en 1,6 nm (procédé A16) fin 2026 et un autre en 1,4 nm (A14) en 2028. Le groupe précise d’ailleurs que « le projet A14 progresse sans encombre et présente des rendements supérieurs aux prévisions ». Comparé au procédé 2 nm, le procédé A14 offre un gain de vitesse jusqu’à 15% à consommation d’énergie équivalente (ou une réduction de consommation d’énergie jusqu’à 30% à vitesse égale), ainsi qu’une augmentation de plus de 20% de la densité logique.