Un nouveau type de boîtier booste la densité de puissance des Mosfet pour véhicules électriques

Diodes est l’inventeur d’un boîtier compact pour transistors de puissance, qui optimise la dissipation thermique et permet de gérer des courants allant jusqu’à 460 A avec une densité de puissance huit fois supérieure à celle d’un boîtier TO263.

Le groupe texans Diodes a développé un nouveau type de boîtier CMS compact pour transistors de puissance, boîtier dont la dissipation thermique optimale permet d’accroître fortement la densité de puissance du composant. Baptisé PowerDI8080-5, ce boîtier de 8 mm de côté occupe une surface réduite de 40% par rapport à celle d’un boîtier TO263 (D2PAK), alors que sa hauteur ne dépasse pas 1,7 mm au-dessus du circuit imprimé, soit un profil réduit de 63% par rapport au boîtier standard.

Malgré cet encombrement restreint, le boîtier PowerDI8080-5 est apte à gérer des courants allant jusqu’à 460 A, ce qui correspond à une densité de puissance environ huit fois supérieure à celle d’un boîtier TO263. L’efficacité de la dissipation thermique est assurée par des liaisons en cuivre entre la puce et les terminaisons qui procurent une résistance thermique entre la jonction et le boîtier de seulement 0,36 °C/W.

Le premier composant de puissance de Diodes à bénéficier de ce nouveau boîtier est un Mosfet de 40 V référencé DMTH4M70SPGWQ. Répondant aux besoins des véhicules électriques, ce Mosfet qualifié AEC-Q101 se caractérise par une résistance drain-source à l’état passant de seulement 0,54 mΩ pour une tension de grille de 10 V, et une charge de grille de 117 nC.

Ce Mosfet en boîtier PowerDI8080-5 est proposé au prix de 4,99 dollars l’unité par quantité de 2000 pièces.