Un transistor HEMT GaN-SiC de puissance en bande L adapté aux radars à impulsions longues
Délivrant une puissance de 700 W dans une bande de fréquence allant de 0,9 à 1,4 GHz, le transistor CLL3H0914L-700 signé Ampleon a été optimisé pour cibler les radars à impulsions longues et rapport cyclique élevé en bande L.
Spécialiste des composants RF de puissance, la société basée aux Pays-Bas Ampleon a profité de la manifestation European Microwave Week qui s’est tenue fin septembre à Milan pour lancer la commercialisation d’un transistor à haute mobilité électronique (HEMT), robuste et à faible résistance thermique, adapté aux applications radars à impulsions longues.
Référencé CLL3H0914L-700, ce transistor en technologie nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN-SiC) fonctionne sous 50 V et est capable de fournir une puissance typique de 700 W dans une bande de fréquence allant de 0,9 à 1,4 GHz avec un gain de 16 dB et un rendement pouvant dépasser les 70%.
Cela lui permet de viser des applications avioniques dans les bandes 960-1250 MHz et 1030-1090 MHz, ainsi que les radars à impulsions longues en bande L (1200-1400 MHz). Dans ce dernier cas de figure, le transistor HEMT d’Ampleon a été optimisé d’un point de vue thermique pour les largeurs impulsions d’environ 2 ms et les rapports cycliques élevés (20%).
Ces composants sont d’ores et déjà disponibles en volume.
