ST dévoile sa 3è génération de modules de puissance en SiC
Ces modules de puissance de 750 V et 1200 V ont été optimisés en termes de robustesse, de fiabilité et de performances pour cibler les véhicules électriques.
Deux mois après avoir lancé la construction d’une usine de tranches en carbure de silicium sur son site de Catane (Sicile), STMicroelectronics poursuit son offensive en solutions à base de SiC avec le lancement de nouvelles séries de modules de puissance basés sur la troisième génération de ses Mosfet SiC STPOWER qui équipent déjà plus de trois millions de voitures électriques à travers le monde, selon le groupe franco-italien.
Montés en boîtier ACEPACK DRIVE de ST optimisé en termes de fiabilité, de robustesse et de facilité d’intégration, ces modules de puissance ciblent les véhicules électriques, en particulier les convertisseurs DC-DC, les onduleurs de traction et les chargeurs embarqués (OBC) avec un fonctionnement bidirectionnel conçu pour assurer le transfert de l’énergie entre le véhicule et le réseau (V2G).
Ces modules de puissance comprennent des versions de 1200 V, déjà en production, référencées ADP280120W3, ADP360120W3 et ADP480120W3(-L), qui seront accompagnées de deux modèles à 750 V, estampillés ADP46075W3 et ADP61075W3, dont la production est programmée d’ici mars 2023.
« Notre technologie SiC de troisième génération garantit la plus haute densité de puissance et le meilleur rendement énergétique, avec des performances plus élevées, ainsi qu’une autonomie et une vitesse de charge supérieures », assure Marco Monti, président du groupe “Produits Automobiles et Discrets” chez STMicroelectronics.
Les Mosfet SiC de 3è génération de ST qui équipent ces modules se caractérisent notamment par des valeurs typiques de résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) très faibles, comprises entre 1,9 et 3,8 mΩ, selon les modèles, pour une température de jonction de 25°C (3,35 à 6,5 mΩ à Tj=175°C).
L’optimisation des modules ACEPACK DRIVE en termes de fiabilité et de robustesse passe par un système à ailettes (pin-fin array) qui assure une dissipation efficace de la chaleur. Spécifiés jusqu’à une température de jonction de 175°C, ils sont également équipés de connexions de type press-fit fiables et durables, tandis que les puces frittées sur le substrat garantissent une longévité étendue dans les applications automobiles.
Ces modules bénéficient également de la technologie de substrats AMB (Active Metal Brazing – brasure active), connue pour son efficacité thermique et sa résistance mécanique, un capteur à coefficient de température négatif (CTN) dédié étant monté pour chaque substrat. Ils sont disponibles avec une sélection de busbars soudés ou vissés, adaptés aux différentes exigences de montage. En option, un busbar allongé permet d’utiliser un capteur à effet Hall pour superviser le courant du moteur.
ST précise enfin que ses modules ACEPACK DRIVE ont été sélectionnés pour équiper la plateforme pour véhicules électriques E-GMP de Hyundai, également utilisée dans le KIA EV6 et plusieurs autres modèles.
