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ST investit 730 M€ pour construire une usine de tranches SiC à Catane

ST investit 730 M€ pour construire une usine de tranches SiC à Catane

STMicroelectronics lance la construction en Italie d’une unité intégrée de fabrication de substrats en carbure de silicium (SiC) dans le but de répondre à la demande croissante en composants SiC pour les applications des secteurs de l’automobile et de l’industriel. La production devrait démarrer en 2023, permettant d’équilibrer chez ST l’approvisionnement en substrats SiC entre la fabrication interne et l’achat de tranches à des fournisseurs.

Construite sur le site ST de Catane à côté de l’actuelle unité de fabrication de composants SiC, cette unité de production de substrats en SiC sera la première du genre en Europe pour la production en volumes de substrats épitaxiés de 150 mm de diamètre en carbure de silicium, intégrant toutes les étapes du flux de production. ST s’est également engagé à développer des tranches en 200 mm dans un futur proche.

Ce projet représente une étape clé dans l’évolution de la stratégie d’intégration verticale de ST pour ses activités SiC. L’investissement de 730 millions d’euros sur cinq ans, bénéficiera du soutien financier de l’État italien dans le cadre du plan national de relance et de résilience et environ 700 emplois directs supplémentaires seront créés lorsque l’unité sera à pleine capacité. ST ambitionne de disposer en interne d’une capacité de fabrication permettant d’atteindre 40% de ses besoins en substrats d’ici 2024.

« ST transforme ses activités de fabrication à l’échelle mondiale, avec des capacités supplémentaires en production de tranches de 300 mm et en mettant tout particulièrement l’accent sur les semiconducteurs à grand gap, pour réaliser son ambition d’atteindre un chiffre d’affaires de 20 milliards de dollars et au-delà. Nous étendons nos activités à Catane, le centre de notre expertise dans le domaine des semiconducteurs de puissance où nous avons d’ores et déjà intégré les activités de recherche, de développement et de fabrication de composants en SiC avec une solide collaboration avec des entités de recherche, des universités et des fournisseurs italiens », a déclaré Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics.

ST revendique un leadership dans le domaine du carbure de silicium sur sur son blog, fruit de 25 années d’efforts et d’engagements en faveur de la R&D avec un large portefeuille de brevets clés. Depuis longtemps, Catane joue un rôle important dans la capacité d’innovation de ST en tant que lieu des principales activités de R&D et de fabrication en SiC du groupe. S’appuyant sur un écosystème solidement établi dans le domaine de l’électronique de puissance, avec notamment une collaboration à long terme entre ST et différentes parties prenantes (l’Université, le Conseil national italien de la recherche (CNR) et plusieurs entreprises participant à la fabrication d’équipements et de produits), ainsi que sur un vaste réseau de fournisseurs, cet investissement renforcera le rôle de Catane en tant que centre de compétences mondial pour la technologie en carbure de silicium et pour de nouvelles opportunités de croissance.

Usine ST de Catane

Les produits STpower en carbure de silicium de ST sont actuellement fabriqués dans les usines ST de Catane (Italie) et d’Ang Mo Kio (Singapour), tandis que les activités d’assemblage et de test sont assurées par les sites de Shenzhen (Chine) et de Bouskoura (Maroc).

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