Toshiba va doubler sa capacité de production de circuits de puissance sur son site d’Himeji
Pour faire face à la forte demande de composants discrets de puissance dans l’automobile et les applications industrielles, le Japonais investit dans une nouvelle unité de production sur son site d’Himeji, au Japon.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation va investir dans une nouvelle ligne de production de semiconducteurs de puissance sur son site d’Himeji situé dans la préfecture de Hyogo, à l’ouest du Japon. L’unité de fabrication, dont la construction démarrera en juin 2024, permettra au Japonais de plus que doubler la capacité de production de composants discrets de puissance de son site d’Himeji. Les opérations devraient y débuter dès le printemps 2025.
Toshiba entend ainsi répondre à une forte demande en semiconducteurs de puissance associant à la fois haut rendement et niveau de fiabilité élevé afin de réduire la consommation énergétique dans les appareils électroniques. Le Japonais mise notamment sur une croissance continue de la demande en Mosfet basse tension – l’une des technologies phare de Toshiba – liée à l’électrification des véhicules et l’automatisation des équipements industriels.
Créé en avril 1982, le site d’Himeji de Toshiba compte actuellement environ 1400 salariés.
