Toshiba booste de 60% le courant supporté par ses Mosfet de puissance canal N de 40 V

Le nouveau boîtier L-TOGL utilisé par le Japonais permet à ses Mosfet de puissance canal N de 40V de supporter un courant de drain jusqu’à 200 A pour le modèle référencé XPQ1R004PB et jusqu’à 400 A pour le XPQR3004PB.

Ces dernières années, la transition vers les véhicules électriques a alimenté une forte demande en composants capables de supporter des puissances électriques toujours plus importantes. C’est notamment le cas des Mosfet de puissance qui doivent composer avec des courants élevés en réduisant leur résistance à l’état passant et en améliorant leur dissipation thermique.

Pour accompagner cette tendance, Toshiba a par exemple développé un nouveau type de boîtier permettant d’améliorer significativement les performances de ses Mosfet de puissance canal N de 40 V dédiés à l’automobile. Baptisé L-TOGL (Large Transistor Outline Gull-wing Leads), ce boîtier de 9,9 x 11,81 x 2,3 mm permet aux Mosfet canal N 40 V des séries XPQ1R004PB et XPQR3004PB d’attendre des courants de drain jusqu’à 200 A et 400 A, respectivement, avec de faibles résistances drain-source à l’état passant (Rds(on)), en l’occurrence 0,8 mΩ à 10 V pour les premiers et 0,23 mΩ à 10 V pour les seconds, en valeurs typiques.

Si l’on compare avec le précédent modèle 40 V le plus performant du Japonais, à savoir le TKR74F04P et son boîtier TO-220SM (W), le Mosfet XPQR3004PB supporte un courant 60% plus élevé et présente une Rds(on) réduite de 30% ainsi qu’une impédance thermique abaissée de 50%. De quoi simplifier la conception de solutions de dissipation thermique et réduire le nombre de Mosfet requis dans des applications telles que les relais à semi-conducteurs et les onduleurs, pour, au final, contribuer à diminuer la taille de l’équipement.

Le Japonais affirme également avoir amélioré la fiabilité des joints de soudure en réduisant les contraintes de montage du composant sur le circuit imprimé.

Précisons enfin que Toshiba propose l’expédition groupée de ces Mosfet triés par tension seuil de grille afin de fournir des lots de composants avec des faibles variations de caractéristiques, dans le cas d’une mise en parallèle des Mosfet pour les applications nécessitant un fonctionnement à courant plus élevé.