Scintil intègre des lasers et des amplificateurs III-V à la technologie photonique sur silicium standard de Tower
En intégrant des lasers DFB (Distributed FeedBack) et des amplificateurs optiques en matériaux semiconducteurs III-V au niveau des composants photoniques intégrés sur silicium en production chez le fondeur israélien et fabriqués à partir d’un procédé standard, la société grenobloise entend répondre à la demande croissante de solutions de communications optiques à très haut débit pour les datacenters, l’IA et les réseaux 5G.
Spécialiste des circuits photoniques intégrés sur silicium (PIC), Scintil Photonics annonce avoir réussi l’intégration de lasers DFB (Distributed FeedBack) et d’amplificateurs optiques en matériaux semiconducteurs III-V au niveau des composants photoniques intégrés sur silicium en production chez le fondeur israélien Tower Semiconductor et fabriqués à partir d’un procédé standard.
Il s’agit d’une étape clé pour l’entreprise grenobloise qui renforce ainsi sa chaîne d’approvisionnement et sa capacité à répondre à la demande croissante de solutions de communications optiques à très haut débit pour les datacenters, l’IA et les réseaux 5G.
© Adobe stock/Scintil Photonics
Les circuits optiques entièrement intégrés de Scintil sont fabriqués à partir d’une technologie propriétaire unique, s’appuyant sur la photonique sur silicium standard et permettant l’intégration monolithique de lasers et d’amplificateurs pour offrir des débits plus élevés, une consommation énergétique plus faible et une fiabilité accrue.
Fabriquée sur la base technologique du procédé photonique sur silicium standard PH18M de Tower, qui permet la réalisation de guides d’ondes à faible perte, de photodétecteurs et de modulateurs optiques sur tranches de silicium, la technologie Scintil intègre de manière monolithique des lasers DFB et des amplificateurs sur la face arrière de ces tranches. Des tests supplémentaires des circuits de Scintil effectués par ses clients ont montré qu’il n’était pas nécessaire d’utiliser un packaging hermétique, tout en soulignant une fiabilité et une robustesse accrues de ces circuits photoniques intégrés.
« Dans le cadre de notre engagement à faire progresser nos technologies et nos produits dédiés aux communications optiques à très haut débit, ce résultat lié à notre coopération de longue date avec Tower Semiconductor, un fondeur mondial de premier plan, marque une étape importante, assure Sylvie Menezo, fondatrice et Pdg de Scintil Photonics. Nous sommes ainsi bien placés pour fournir des circuits photoniques sur silicium augmentés de lasers DFB et d’amplificateurs, assurant une évolutivité des performances en termes de débit de données et de consommation énergétique. Scintil sera en mesure de produire en volume pour répondre à la demande du marché, tirée par le cloud et l’IA. En outre, notre technologie offre des possibilités remarquables d’intégration de nouveaux matériaux, tels que les boîtes quantiques en GaAs et le niobate de lithium. »
Selon la société d’études de marché LightCounting, le marché des émetteurs-récepteurs photoniques sur silicium devrait progresser à un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 24%, pour atteindre un total de plus de 7 milliards de dollars en 2025.
Créée en 2018 et issue d’un essaimage du CEA Leti, Scintil Photonics est une société fabless basée à Grenoble et à Toronto qui développe et commercialise des circuits photoniques intégrés sur silicium, parmi lesquels des lasers multifréquences, des circuits de transmission et réception à 800 et 1600 Gbit/s et des filtres accordables. Ces circuits sont fabriqués à partir d’une technologie propriétaire de photonique sur silicium avec collage moléculaire de matériaux III/V. Pour permettre une adoption accélérée de ses solutions, Scintil fournit également l’électronique de contrôle et l’implémentation de packages de référence.
