ST dévoile sa feuille de route pour sa technologie SiC
Le groupe franco-italien annonce l’introduction prochaine de la quatrième génération de ses solutions de puissance STPower à base de carbure de silicium et travaille sur une cinquième génération, prévue pour 2027, pour laquelle ST promet “une innovation radicale”.
STMicroelectronics, l’un des trois ténors européens des semiconducteurs avec Infineon et NXP, vient de lever le voile sur sa feuille de route à trois ans en matière de solutions de puissance à base de carbure de silicium (SiC).
Le groupe franco-italien annonce tout d’abord l’introduction de sa quatrième génération de Mosfet SiC de la gamme STPower, avec la promesse d’apporter de nouvelles références en matière d’efficacité énergétique, de densité de puissance et de robustesse. Conçus pour des tensions de 750 V et 1200 V selon les versions, ces Mosfet SiC de quatrième génération ciblent les applications industrielles (onduleurs solaires, stockage d’énergie, centres de données, etc.) et automobiles, et en premier lieu, les onduleurs de traction pour bus 400 V et 800 V dédiés aux véhicules électriques.
© STMicroelectronics
Selon ST, ces Mosfet marquent une avancée significative dans la technologie de conversion d’énergie par rapport aux générations précédentes de Mosfet SiC. Ils se caractérisent notamment par une résistance drain-source à l’état passant Rds(on) nettement inférieure à celle des générations précédentes, de manière à minimiser les pertes de conduction et à améliorer l’efficacité globale du système.
Ils affichent par ailleurs des vitesses de commutation plus rapides, ce qui se traduit par des pertes de commutation inférieures, un paramètre crucial pour les applications à haute fréquence et pour concevoir des convertisseurs de puissance plus compacts et plus efficaces. ST annonce notamment une taille des composants de quatrième génération réduite en moyenne de 12 à 15 % comparée à celle des composants de 3è génération.
Une robustesse accrue est enfin le troisième point mis en avant par ST pour caractériser ses Mosfet SiC de quatrième génération, qui supporteront des conditions de polarisation dynamique inverse (DRB) allant au-delà de la norme automobile AQG324, avec pour résultat un fonctionnement fiable dans des conditions difficiles.
ST a achevé la qualification de ses modèles 750 V et prévoit de finaliser la qualification des versions 1200 V au cours du premier trimestre 2025, leur disponibilité commerciale étant prévue dans la foulée, avec une production qui montera en puissance en 2025.
Avec ces Mosfet, ST compte mettre les avantages du SiC à la portée des véhicules électriques de taille moyenne et compacts, deux segments clés pour accélérer l’adoption du 100% électrique sur le marché de masse.
Une cinquième génération dotée d’une « innovation radicale » prévue pour 2027
ST ne compte pas s’arrêter en si bon chemin puisque sa feuille de route prévoit également le lancement, à l’horizon 2027, d’une cinquième génération de Mosfet SiC pour sa gamme STPower. Cette cinquième génération sera dotée d’une technologie innovante à haute densité de puissance basée sur une structure planaire, ainsi que d’une « innovation radicale qui promet une réduction exceptionnelle de la résistance drain-source à l’état passant, notamment à température élevée ».
Rappelons que ST a annoncé en mai dernier la construction sur son site de Catane, en Sicile, de la première usine au monde entièrement intégrée – de la R&D à la fabrication et du substrat au module de puissance – et dédiée à la production en grands volumes de tranches SiC de 200 mm pour composants et modules de puissance, ainsi qu’aux activités de test et de conditionnement. Fruit d’un investissement de 5 milliards d’euros, elle devrait être opérationnelle dès 2026.
Le groupe franco-italien affirme que ses composants de puissance SiC de la gamme STPower équipent déjà plus de cinq millions de voitures particulières à travers le monde.
