Une tension directe limitée à 1,27 V pour les diodes Shottky SiC 1200 V de Toshiba
Ces diodes Shottky en boîtier traversant s’adressent aux concepteurs cherchant à améliorer l’efficacité de leurs équipements industriels, notamment les onduleurs photovoltaïques, les bornes de recharge pour véhicules électriques et les alimentations à découpage.
Toshiba Electronics Europe propose désormais à son catalogue des diodes Shottky 1200 V en carbure de silicium (SiC) dont la tension directe ne dépasse pas 1,27 V en valeur typique. La série TRSxxx120Hx, qui comprend dix modèles de troisième génération logés en boîtiers à broches traversantes (cinq en boitier TO-247-2L à 2 broches et cinq en boîtier TO-247 à 3 broches), s’adresse aux concepteurs cherchant à améliorer l’efficacité de leurs équipements industriels, notamment les onduleurs photovoltaïques, les bornes de recharge pour véhicules électriques et les alimentations à découpage.
© Toshiba Electronics Europe
Ces nouveaux composants mettent en œuvre une structure améliorée de la barrière de jonction, qui permet d’abaisser la tension directe typique à seulement 1,27 V (1,45 V en valeur maximale) et de réduire les pertes d’énergie dans des conditions de courant élevé. A titre d’exemple, le modèle référencé TRS40N120H accepte un courant direct maximal de 40 A en continu et de 270 A en valeur crête.
En alliant une charge capacitive réduite et un courant de fuite plus faible, ces composants contribuent à améliorer l’efficacité du système et à simplifier la conception thermique. Par exemple, à une tension inverse de 1200 V, la diode TRS20H120H, logée dans le boîtier TO-247-2L, présente une charge capacitive totale de 109 nC et un courant inverse de 2 µA.
La température de jonction maximale de ces diodes est fixée +175 °C.
