SK hynix lance la production de volume des premières mémoires HBM4
Dédiées aux applications de calcul haute performance (HPC), notamment celles exploitant des algorithmes d’IA, les mémoires HBM4 du Coréen offrent une bande passante doublée et un rendement énergétique amélioré de 40% par rapport aux modèles de génération précédente.
SK hynix met un point d’honneur à mener la course au développement des mémoires HBM (High Bandwidth Memory), ces mémoires à large bande passante et faible latence dédiées aux applications de calcul haute performance (HPC), notamment celles faisant intervenir des algorithmes d’IA.
Et le Coréen le prouve une nouvelle fois en annonçant, avant ses concurrents (Samsung et Micron), le lancement de la production de volume de mémoires HBM4 qui constituent la 6è génération de mémoires HBM disponibles sur le marché, après les déclinaisons HBM, HBM2, HBM2E, HBM3 et HBM3E.
© SK hynix
SK hynix estime que les mémoires HBM4 répondent parfaitement aux exigences des applications d’IA en termes de bande passante (elle est ici doublée par rapport à celle de la génération précédente), mais aussi de rendement énergétique (+40% par rapport à la génération précédente), à l’heure où les centres de données sont parfois décriés pour leur consommation excessive. Les modèles du Coréen disposent de 2048 entrées/sorties et gèrent des débits de données jusqu’à 10 Gbit/s, supérieurs aux exigences du standard Jedec 3 (8 Gbit/s)
Rappelons que les mémoires HBM interconnectent verticalement plusieurs puces Dram via la technologie TSV (through silicon via) afin d’améliorer considérablement la vitesse de traitement des données par rapport aux mémoires Dram conventionnelles. Pour la fabrication de ses mémoires HBM4, SK hynix a adopté le nœud de gravure 1bnm, qui constitue la cinquième génération du procédé 10 nm, aujourd’hui éprouvée, ainsi que le procédé MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill).
MR-MUF est une technique d’empilement de puces par injection et durcissement de matériaux protecteurs liquides entre les puces. Selon le Coréen, ce procédé s’est avéré plus efficace et performant en termes de dissipation thermique que la méthode de dépôt de matériaux de type film pour chaque empilement de puces. SK hynix estime en effet que la technologie MR-MUF est essentielle à la stabilité de la production de volume des mémoires HBM4, car elle assure un bon contrôle du gauchissement et réduit la pression exercée sur les puces empilées.
