Accord entre Soitec et GlobalFoundries pour la fourniture de substrats RF-SOI de 300 mm
Le fondeur sécurise auprès du Grenoblois un approvisionnement en substrats RF-SOI de dernière génération qu’il utilisera sur sa plateforme avancée RF-SOI 9SW pour produire des modules frontaux RF destinés aux appareils mobiles couvrant les technologies 5G, 5G-Advanced et Wi-Fi.
Partenaires de longue date, Soitec, spécialiste des matériaux semiconducteurs innovants, et GlobalFoundries (GF) viennent de signer un nouvel accord selon lequel la société grenobloise s’engage à fournir des substrats RF-SOI de 300 mm de diamètre au fondeur basé aux Etats-Unis, pour la production des plateformes technologiques RF-SOI de GF, en particulier sa solution RF-SOI 9SW la plus avancée. Les substrats RF-SOI de haute performance sont nécessaires à la production de modules frontaux RF pour les appareils mobiles couvrant les technologies 5G, 5G-Advanced et Wi-Fi.
© Soitec
Selon GF, sa plateforme RF-SOI 9SW a été conçue pour répondre aux exigences de connectivité avancée des smartphones haut de gamme, grâce à ses capacités de commutation supérieures, d’amplification à faible bruit (LNA) et de traitement logique, censées offrir des avantages significatifs en termes de performances RF, d’efficacité énergétique et de miniaturisation des composants.
Le nouveau substrat RF-SOI 300 mm de Soitec apporte, quant à lui, des avancées en matière de réduction de la capacitance Coff grâce à l’optimisation de l’épaisseur du silicium, d’efficacité énergétique grâce à une couche d’oxyde optimisée, et de performances RF grâce à la gamme de produits innovante RFeSI de Soitec.
En associant les deux technologies, GF compte réduire de manière importante la consommation d’énergie de ses modules RF, aussi bien en mode actif qu’en veille, tout en réduisant leur encombrement de 10% par rapport aux solutions de précédente génération. Le fondeur estime à plus de 20% le gain en efficacité grâce à des valeurs de résistance Ron et de capacitance Coff réduites.
