Alimentation par Ethernet : ON Semiconductor répond aux demandes de puissance des noeuds IoT
ON Semiconductor élargit son portefeuille de produits et de technologies à la norme IEEE 802.3bt. Selon cette norme, l’alimentation PoE (Power over Ethernet) fournit une connectivité rapide et jusqu’à 90W de puissance sur des connexions LAN.
La conformité à la norme IEEE 802.3bt fournit une puissance de 90W aux capteurs intelligents et aux applications d’automatisation de bâtiments et d’éclairage connecté. Non seulement les solutions ON Semiconductor prennent en charge la limite de puissance de la nouvelle norme, mais elles l’étendent jusqu’à 100W pour les applications de signalisation numérique connectée.
La nouvelle norme IEEE 802.3bt pour PoE a le potentiel de transformer chaque marché vertical concerné par l’IoT, en permettant à des noeuds plus complexes de fonctionner sur de plus grands réseaux. La norme IEEE 802.3bt optimise la gestion d’énergie grâce à la nouvelle fonction « Autoclass », qui permet aux différents dispositifs PD (Powered Devices, ou dispositifs alimentés) de communiquer leurs besoins d’énergie spécifiques à l’équipement PSE (Power Sourcing Equipment, ou équipement source d’énergie). Cela permet à chaque PSE d’allouer exactement le bon niveau de puissance à chaque PD, en maximisant à la fois l’énergie disponible et la bande passante.
Avec jusqu’à 90W de puissance disponible, contre 30W seulement avec la norme IEEE 802.at (PoE+), l’IEEE 802.3bt est capable de fournir à la fois puissance et connectivité aux nouvelles applications, qui autrement nécessiteraient une source d’alimentation dédiée et en général hors ligne. La technologie PoE simplifie les topologies réseau et offre une expérience utilisateur « Plug-n-Play » plus robuste.
« L’alimentation PoE est aujourd’hui l’un des marchés les plus dynamiques pour les semiconducteurs de puissance, avec une croissance moyenne prévue de 14% entre 2017 et 2022. La capacité supplémentaire de fourniture d’énergie définie dans la norme IEEE 802.3bt permet de nouvelles applications, comme l’éclairage connecté de grande puissance, les caméras de surveillance haute-résolution en réseau, et les points d’accès sans fil hautes-performances », déclare Kevin Anderson, Analyste Senior, Semiconducteurs de Puissance chez IHS Markit.
A la base des solutions PoE-PD d’ON Semiconductor, les contrôleurs d’interface NCP1095 et NCP1096 intègrent toutes les fonctions nécessaires à la mise en œuvre d’une interface PoE, y compris la détection, la classification automatique et la limitation de courant. Ces régulateurs font appel à un FET (transistor à effet de champ) commutable à chaud, externe (NCP1095), ou interne (NCP1096). Le FET commutable à chaud intégré au NCP1096 présente la plus faible résistance à l’état passant disponible dans un régulateur PoE Type 3 ou Type 4. Ces contrôleurs sont complétés par les composants suivants : contrôleur CC-CC NCP1566, MOSFET simple FDMC8622 et quadruples MOSFET GreenBridge FDMQ8203 et FDMQ8205A, spécialement développés pour les applications PoE, afin d’offrir un meilleur rendement qu’un pont de diodes. Tous ensemble, ces différents dispositifs permettent d’obtenir des interfaces PoE à haut rendement, d’une puissance allant jusqu’aux 90W limites de la norme, voire 100W grâce à un mode spécial si davantage de puissance est nécessaire.
