Circuits de puissance GaN : KKR investit 70 M$ dans Transphorm
Le Californien Transphorm, un fournisseur de semiconducteurs qui ambitionne de redéfinir la conversion de puissance grâce au nitrure de gallium (GaN), vient de lever 70 millions de dollars, à l’occasion d’un tour de table conduit par l’investisseur KKR.
Transphorm estime que la technologie GaN permet de réduire de 40% les pertes de conversion de puissance dans les modules et les composants de puissance par rapport aux technologies conventionnelles. L’Américain a mis au point une plateforme qualifiée de composants GaN 600 V. La première application commerciale d’un module GaN a été lancée en début d’année dans l’industrie du photovoltaïque par le Japonais Yaskawa Electric. Son onduleur PV pour applications résidentielles serait 50% plus petit que les modèles conventionnels.
Rappelons qu’en 2013, Fujitsu Semiconductor avait signé un accord avec l’Américain Transphorm pour intégrer leurs activités respectives dans les circuits de puissance en nitrure de gallium (GaN). En rassemblant leurs technologies sous la bannière de Transphorm, les deux partenaires comptaient ainsi accélérer l’établissement d’une source de production de volume de circuits GaN de haute fiabilité et de hautes performances.
En début d’année, Fujitsu et Transphorm ont annoncé le lancement en production de volume de circuits de puissance en technologie nitrure de gallium (GaN) pour applications de commutation. La production sur tranches de 150 mm de diamètre a démarré dans l’usine de Fujitsu Semiconductor, à Aizu-Wakamatsu, au Japon. Fujtisu fournit dans cette usine, -qualifiée pour l’automobile-, des services de fonderie GaN en exclusivité pour Transphorm.
