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Diamfab lance une ligne pilote dédiée aux semiconducteurs à base de diamant

Diamfab lance une ligne pilote dédiée aux semiconducteurs à base de diamant

Fruit d’un investissement de 4 millions d’euros, cette ligne pilote basée à Fontaine, près de Grenoble, va progressivement monter en puissance pour atteindre une capacité de plusieurs dizaines de milliers de tranches de diamant semiconducteur par an à horizon 2028, ce qui serait unique en Europe.

Diamfab, pionnier du diamant semiconducteur en France, a inauguré vendredi 16 janvier à Fontaine, près de Grenoble, une ligne pilote de semiconducteurs à base de diamant synthétique, qui représente « un pas décisif du laboratoire à l’industrialisation ». Fruit d’un investissement de 4 millions d’euros, l’unité de fabrication prend place dans un bâtiment de 750 m², dont 150 m² de salle blanche, et montera progressivement en puissance pour être capable de produire plusieurs dizaines de milliers de tranches de diamant semiconducteur de 4 pouces de diamètre par an à horizon 2028, ce qui en ferait « la seule ligne pilote européenne de ce genre ».

© Edyta Tolwinska / Diamfab

Cette « base industrielle » est située à proximité de l’Institut Néel, le laboratoire du CNRS d’où est issue Diamfab, et des industriels locaux partenaires de la société, tels que Soitec, STMicroelectronics, Schneider Electric, ou le CEA-Leti. Elle a par ailleurs bénéficié de l’accompagnement de l’ensemble des acteurs économiques de l’écosystème Grenoble-Alpes, tels que Grenoble Alpes Métropole, l’Université Grenoble Alpes, Minalogic, ou encore la SATT Linksium où elle a été incubée.

Diamfab a été créée en mars 2019 par Gauthier Chicot et Khaled Driche (photo ci-dessous), deux docteurs en nanoélectronique et chercheurs reconnus dans le domaine du diamant semiconducteur. La société a développé une technologie de rupture dans le domaine de l’épitaxie et du dopage du diamant synthétique. Protégé par quatre brevets, leur savoir-faire réside principalement dans la croissance et le dopage de couches minces de diamant, ainsi que dans la conception de composants électroniques en diamant. Rappelons que Diamfab a levé 8,7 millions d’euros en 2024.

© Edyta Tolwinska / Diamfab

Grâce à ses propriétés exceptionnelles — large bande interdite, excellente conductivité thermique, forte mobilité des porteurs et résistance intrinsèque aux radiations — le diamant semiconducteur est considéré comme un candidat potentiel prometteur pour concevoir, à l’avenir, des dispositifs de puissance plus compacts, plus performants et potentiellement plus robustes face à aux environnements sévères.

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