Electronique de puissance : Mitsubishi démarre la production de tranches de silicium de 300 mm
Bien qu’il multiplie ces dernières années les investissements et les partenariats dans les puces en carbure de silicium, le Japonais poursuit en parallèle l’augmentation de sa capacité de production en semiconducteurs de puissance à base de silicium.
Environ un an après avoir finalisé son installation, Mitsubishi Electric vient de débuter la production de volume de semiconducteurs de puissance à partir de tranches de silicium de 300 mm de diamètre dans son usine Power Device Works, située à Fukuyama, au Japon. Ces puces silicium seront intégrées dans des modules de puissance destinés, dans un premier temps, aux applications grand public, avant de cibler, dans un second temps, « toute application de puissance pour laquelle il existe une forte demande en matière d’économie d’énergie ».
© Mitsubishi Electric
En plus de jouer un rôle clé dans le plan à moyen terme que Mitsubishi Electric met en place en vue de doubler sa capacité de production de wafers pour les semiconducteurs de puissance en silicium d’ici 2026, cette usine contribuera également à assurer une production stable et pérenne de modules de puissance pour répondre à la demande croissante, indique le Japonais.
Opérationnelle depuis novembre 2021, l’usine de Fukuyama a commencé par produire en volume des puces et modules de puissance à partir de tranches de silicium de 200 mm dès avril 2022, avant de rajouter une extension pour le 300 mm en août 2023. Aujourd’hui, le site dispose d’une surface de production de 46500 m² (en 200 et 300 mm) répartis sur trois étages.
Rappelons que depuis quelques années, Mitsubishi Electric multiplie les initiatives dans le domaine des semiconducteurs de puissance, en particulier avec l’accroissement de ses capacités de production en semiconducteurs de puissance silicium, comme ici, mais également avec des investissements importants et des partenariats technologiques dans les solutions à base de carbure de silicium (SiC).
