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Mitsubishi Electric investit de toutes parts dans les semiconducteurs de puissance

Mitsubishi Electric investit de toutes parts dans les semiconducteurs de puissance

Extension de sa capacité de production en tranches de silicium en passant au 300 mm, investissements et partenariats importants dans le SiC, exploration de solutions technologiques alternatives : le Japonais ne ménage pas ses efforts en semiconducteurs de puissance.

Lorsqu’il a décidé, en 2020, d’abandonner la production d’écrans LCD-TFT destinés pour l’essentiel aux débouchés industriels, l’objectif pour Mitsubishi Electric était de se concentrer sur les semiconducteurs de puissance pour répondre à une demande croissante dans une large gamme de débouchés, notamment les véhicules électriques, les appareils grand public (par exemple, les systèmes de climatisation), les équipements industriels ou les énergies renouvelables.

Depuis, le groupe japonais multiplie les initiatives en ce sens, en particulier avec l’accroissement de ses capacités de production en semiconducteurs de puissance traditionnels en silicium et avec des investissements importants et des partenariats technologiques dans les solutions à base de carbure de silicium (SiC).

© Mitsubishi Electric

Mitsubishi Electric vient d’ailleurs d’annoncer l’achèvement de l’installation d’une ligne de production de tranches de silicium de 12 pouces (300 mm) dédiée aux semiconducteurs de puissance (photo) dans son usine Power Device Work située à Fukuyama. La production de volume y débutera au mieux au second semestre 2024 avec l’objectif de doubler la capacité de production du Japonais un an plus tard.

En plus d’investir dans les technologies silicium et SiC, Mitsubishi Electric explore une autre voie pour les semiconducteurs de puissance, celle de l’oxyde de gallium, comme le montre sa prise de participation dans la société japonaise Novel Crystal Technology cet été. Créée en 2015, Novel Crystal Technology est l’une des premières sociétés au monde à développer, fabriquer et vendre des tranches à base d’oxyde de gallium, une technologie censée permettre des tensions de claquage encore plus élevées et une dissipation de puissance moindre que celles des semiconducteurs SiC, selon Mitsubishi Electric.

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