EPC complète sa gamme de transistors GaN durcis avec des modèles compacts
Destinés aux applications spatiales et à haute fiabilité, les derniers transistors GaN durcis 100 V et 200 V du Californien Efficient Power Conversion disposent d’un encombrement particulièrement réduit.
La société californienne Efficient Power Conversion (EPC) enrichit sa gamme de transistors GaN (nitrure de gallium) durcis pour environnement spatial avec deux modèles, l’un fonctionnant sous 100 V, l’autre sous 200 V.
Référencés respectivement EPC7003 et EPC7020, ils se caractérisent, pour le premier, par une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) maximale de 30 mΩ, un fonctionnement jusqu’à 42 A en mode impulsionnel et une empreinte particulièrement compacte de seulement 1,87 mm² (1,7 x 1,1 mm) sur le circuit imprimé, quand le second affiche une Rds(on) maximale de 11 mΩ, un fonctionnement jusqu’à 170 A en mode impulsionnel et une empreinte de 12 mm² (4,6 x 2,6 mm).
Pour les deux FET, actuellement en cours d’échantillonnage, le durcissement aux radiations se traduit par leur capacité à résister à une dose d’ionisation totale (TID) absorbée supérieure à 1 Mrad et de supporter les effets d’une particule isolée (SEE, Single Event Effects) avec un transfert d’énergie linéaire (LET, Linear Energy Transfer) maximum de 83,7 MeV/mg/cm². Leur plage de température de fonctionnement s’étend de -55°C à +150°C.
« Aujourd’hui, notre famille de composants durcis en GaN s’étend de 40 V à 200 V et de 4 A à 530 A, couvrant ainsi un large panel d’applications dans des environnements difficiles, allant du spatial – y compris les missions scientifiques interplanétaires – aux vols à très haute altitude, en passant par le militaire », souligne Alex Lidow, co-fondateur et Pdg d’EPC.
Le californien rappelle que les FET et les circuits intégrés de sa gamme eGaN sont plus petits, plus performants et moins onéreux que leurs équivalents durcis en silicium utilisés dans les applications spatiales et à haute fiabilité. Les composants en GaN prennent également en charge des niveaux de TID et de SEE plus élevés.
