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EPC lance un transistor 350 V en GaN de seulement 1,95 x 1,95 mm

EPC lance un transistor 350 V en GaN de seulement 1,95 x 1,95 mm

L’EPC2050 occupe une surface sur le circuit imprimé réduite d’un facteur 10 par rapport à son équivalent de même puissance en silicium, pour un prix inférieur, selon l’Américain.

« Avec l’EPC2050, les concepteurs n’ont plus à choisir entre la taille et la performance ; ils peuvent avoir les deux et un coût inférieur ! » Si Alex Lidow, Pdg de la société américaine EPC (Efficient Power Conversion), est aussi enthousiaste, c’est que le dernier transistor GaN 350 V de la gamme eGaN de sa société – l’EPC2050, donc – tient dans un boîtier de moins de 2 mm de côté (1,95 x 1,95 mm pour être précis), soit une surface sur le circuit imprimé réduite d’un facteur 10 par rapport à son équivalent en silicium (la réduction atteint même un facteur 20 en volume). Et cela pour un prix compétitif, en l’occurrence 3,05 dollars l’unité par quantité de 1000 pièces.

Parmi les autres caractéristiques de l’EPC2050, notons une résistance drain-source à l‘étant passant (Rds(on)) de 80 mΩ et un courant crête maximal de 26 A.

Ce composant cible la conversion DC-DC de/vers 120 V-160 V (aérospatial), la commande de moteur 120 V-150 V (médical), les onduleurs DC-AC, les convertisseurs multi-niveaux et les solutions DC-DC convertissant une entrée 400 V en sortie 12 V, 20 V ou 48 V. Ils conviennent également aux chargeurs rapides, aux systèmes de gestion de batterie, à la recharge des véhicules électriques, aux onduleurs pour le photovoltaïque, aux lidars pour véhicules autonomes, à l’éclairage Led, aux commutateurs RF pour le grand public et l’industriel, etc.

Une carte de développement référencée EPC90121 est également disponible au prix de 156,25 dollars.

 

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