Fujitsu et Transphorm lancent la production de circuits de puissance GaN
Fujitsu et Transphorm viennent d’annoncer le lancement en production de volume de circuits de puissance en technologie nitrure de gallium (GaN) pour applications de commutation. La production sur tranches de 150 mm de diamètre a démarré dans l’usine de Fujitsu Semiconductor, à Aizu-Wakamatsu, au Japon.
Fujtisu fournira dans cette usine, -qualifiée pour l’automobile-, des services de fonderie GaN en exclusivité pour Transphorm.
Rappelons qu’en 2013, Fujitsu Semiconductor avait signé un accord avec l’Américain Transphorm pour intégrer leurs activités respectives dans les circuits de puissance en nitrure de gallium (GaN). En rassemblant leurs technologies sous la bannière de Transphorm, les deux partenaires comptaient ainsi accélérer l’établissement d’une source de production de volume de circuits GaN de haute fiabilité et de hautes performances.
Fujitsu Semiconductor et sa maison-mère Fujitsu avaient alors également pris une participation minoritaire au capital de Transphorm. Ce dernier mène ses travaux de R&D en GaN aux Etats-Unis et au Japon et a mis au point une plateforme qualifiée de composants GaN 600 V. La première application commerciale d’un module GaN a été lancée ce mois-ci dans l’industrie du photovoltaïque.
