Infineon accuse Innoscience de violation d’un brevet lié au GaN
Le groupe allemand a déposé plainte ce jour, devant un tribunal californien, contre l’entreprise chinoise pour violation d’un brevet relatif aux composants de puissance en nitrure de gallium.
Alors que le GaN monte progressivement en puissance, dans tous les sens du terme, il y a fort à parier que les batailles de brevets relatifs à cette technologie s’amplifient dans les mois et années à venir.
Par l’intermédiaire de sa filiale autrichienne, Infineon Technologies a par exemple déposé une plainte, ce jour, devant un tribunal de Californie, à l’encontre de la société chinoise Innoscience Technology et sa filiale américaine Innoscience America pour violation d’un brevet américain relatif à la technologie GaN et appartenant au groupe allemand. Le brevet en question couvre notamment les innovations qui permettent d’améliorer la fiabilité et les performances des dispositifs GaN.
Infineon estime qu’Innoscience viole ce brevet en fabriquant, utilisant, vendant et/ou important aux États-Unis des transistors GaN à destination des secteurs de l’automobile, des centres de données, de l’énergie solaire, des entraînements moteurs, des produits d’électronique grand public, etc.
© Infineon Technologies
« Nous protégeons vigoureusement notre propriété intellectuelle et nos investissements, et agissons ainsi dans l’intérêt de tous les clients et utilisateurs finaux, martèle Adam White, président de la division Power & Sensor Systems d’Infineon (photo). La production de transistors de puissance en technologie GaN nécessite des conceptions et des procédés de fabrication de semiconducteurs entièrement nouveaux, et avec près de deux décennies d’expérience dans le GaN, que ce soit dans la R&D, le développement de produits ou l’expertise en matière de fabrication, Infineon peut garantir la qualité exceptionnelle requise pour ces composants afin d’obtenir les performances les plus élevées des équipements dans lesquels ils sont intégrés. »
En finalisant en octobre dernier le rachat du Canadien GaN Systems pour la bagatelle de 830 millions de dollars, Infineon a clairement mis le GaN au cœur de sa stratégie. Auteur d’environ 350 familles de brevets autour du GaN, l’Allemand compte ainsi glaner une grosse part du gâteau – le marché des composants GaN – que Yole estime à 2 milliards de dollars à l’horizon 2028, à raison d’une croissance moyenne annuelle de 49%.
Innoscience, qui affirmait en septembre dernier avoir livré plus de 300 millions de composants GaN, n’a pour l’heure pas réagi officiellement au dépôt de plainte d’Infineon.
