Infineon élargit sa gamme de composants CoolSiC en carbure de silicium avec des modèles de 2 kV
Les derniers nés des Mosfet et diodes en SiC de la gamme CoolSic de l’Allemand simplifient la réalisation de solutions à haute densité de puissance dans les applications fonctionnant à 1500 Vdc.
La demande croissante de densité de puissance élevée pousse les développeurs à adopter des solutions à 1500 Vdc dans leurs applications afin d’augmenter la puissance nominale des systèmes tout en réduisant leur coût. Cependant, les systèmes fonctionnant à 1500 Vdc posent des défis importants, comme la commutation rapide à haute tension continue qui nécessite généralement une topologie à plusieurs niveaux, avec à la clé, une conception complexe et un nombre relativement élevé de composants.
C’est la raison pour laquelle Infineon a développé des versions 2 kV de ses Mosfet et diodes en carbure de silicium de la série CoolSiC, solutions que l’Allemand a présentées cette semaine au salon PCIM de Nuremberg. En combinant leur faible résistance à l’état passant, les pertes de commutation réduites du SiC et la tension élevée choisie, ces nouveaux composants permettent de répondre de manière optimale aux exigences des systèmes à 1500 Vdc, d’autant que la marge de surtension offerte ici est confortable par rapport aux Mosfet SiC de 1700 V.
Des échantillons des Mosfet CoolSiC 2 kV sont actuellement disponibles dans des modules EasyPACK 3B (montage à 4 circuits boost) et EasyPACK 62 mm (configuration demi-pont), avec des productions de volume prévues aux 3è et 4è trimestres, respectivement. Suivront des composants discrets en boîtier TO247-Plus (photo) en toute fin d’année. Notons qu’Infineon propose une gamme de pilotes de grille EiceDRIVER avec isolation fonctionnelle jusqu’à 2,3 kV pour prendre en charge ses Mosfet SiC 2 kV.
Les systèmes photovoltaïques, les bornes de recharge des véhicules électriques et le stockage d’énergie constituent les principales applications des Mosfet CoolSiC 2 kV de l’Allemand.
