Infineon et Panasonic étendent leur partenariat technologique en GaN
Les deux partenaires vont mettre au point la génération 2 de leur technologie de nitrure de gallium qui, dans un premier temps, prendra la forme d’un transistor HEMT GaN 650 V. Au programme, la promesse d’un meilleur rendement et surtout d’un coût réduit.
Déjà partenaires pour le développement de la génération 1 de leur technologie de semi-conducteurs à grand gap en nitrure de gallium (GaN), connue sous l’appellation CoolGaN chez l’Allemand et X-GaN chez le Japonais, Infineon et Panasonic remettent le couvert en signant ce jour un accord pour développer et produire la génération 2 de leur technologie GaN. Avec à la clé, la promesse d’un rendement et d’une densité de puissance supérieurs à ceux de la génération 1, et surtout, d’un coût réduit du fait de la mise en place d’un procédé utilisant des tranches de GaN sur silicium (GaN-on-Si) de 200 mm (8 pouces) de diamètre. De quoi favoriser l’adoption du GaN en remplacement du silicium dans diverses applications de puissance.
Le premier produit issu de la technologie GaN de génération 2 du duo prendra la forme d’un transistor HEMT (High Electron Mobility Transistor) 650 V exploitant une structure robuste dite HD-GIT (hybrid-drain-embedded gate injection transistor). Il sera destiné aux alimentations à découpage, aux équipements dédiés aux énergies renouvelables et aux systèmes entrainement industriels. La production de ce composant ne devrait toutefois pas intervenir avant le premier semestre 2023.
