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Infineon lance ses premières mémoires Fram durcies

Infineon lance ses premières mémoires Fram durcies

Comparées aux Flash NOR et autres Eeprom, ces Ram ferroélectriques qualifiées QML-V présentent des capacités d’écriture supérieures et des besoins en énergie moindres, sans aucun compromis sur la fiabilité, selon le fabricant allemand.

Déjà présent sur le créneau des mémoires de qualité spatiale, Infineon poursuit l’enrichissement de cette gamme de produits avec le lancement d’une série de Ram ferroélectriques (Fram) à interface série qualifiées QML-V. Selon Infineon, ces mémoires non volatiles de 2 Mo pour environnements extrêmes offrent une fiabilité et une durée de conservation des données inégalées pour ce type d’applications, à savoir 10 000 milliards de cycles de lecture/écriture et 120 ans dans le cas d’un fonctionnement à 85°C et dans une plage de tension allant 2 V à 3,6 V. Elles sont également plus économes en énergie que les mémoires Eeprom non volatiles et les Flash NOR.

Infineon vise donc ici le remplacement des Eeprom et des Flash NOR pour l’enregistrement de données critiques, le stockage de données de télémétrie et d’étalonnage de commande et de contrôle. Ces Fram peuvent également être utilisées pour le stockage de code de démarrage pour les microcontrôleurs, les FPGA et les Asic.

Par ailleurs, la prise en charge du protocole série SPI (Serial Peripheral Interface) standard facilite l’utilisation de ces Fram et mène à des conceptions de systèmes avec moins de composants. Les protocoles série sont d’ailleurs de plus en plus utilisés dans les applications satellitaires et spatiales, plusieurs fournisseurs proposant désormais des processeurs, FPGA et autres Asic compatibles SPI.

Encapsulées en boîtier SOP à 16 broches, les Fram durcies d’Infineon fonctionnent avec une tension de seulement 2 V et un courant minimum de 10 mA, et supportent des températures s’échelonnant entre -55°C et +125°C, ce qui les rend également compatibles avec les applications aéronautiques et militaires.

Les tests de rayonnement menés sur ces Fram montrent que leur seuil de verrouillage à événement unique (SEL) est supérieur à 114 MeV.cm²/mg à 115°C et qu’elles sont immunisées contre les perturbations d’événement unique (SEU). Les tests ont également démontré une résistance à une dose ionisante totale (TID) supérieure à 150 krad.

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