Innoscience propose une solution demi-pont en technologie GaN-on-Si avec pilote intégré
Spécialiste des composants discrets en nitrure de gallium sur silicium, le fabricant chinois se lance dans les solutions GaN-on-Si intégrées avec la gamme SolidGaN inaugurée par l’ISG3201, un circuit demi-pont complet intégrant deux transistors HEMT 3,2 mΩ 100 V et leur circuit de commande.
Spécialiste des transistors HEMT en technologie GaN-on-Si sur tranches de 8 pouces, Innoscience Technology a décidé d’enrichir son offre produits, jusqu’ici basée sur des composants discrets, avec des solutions GaN-on-Si intégrées regroupées sous l’appellation SolidGaN. Référencé ISG3201, le premier modèle de la famille SolidGaN est un circuit demi-pont complet, avec pilote intégré, regroupant deux transistors HEMT 3,2 mΩ 100 V de la gamme InnoGaN et leur circuit de commande, dans un boîtier LGA de seulement 5 x 6,5 x 1,1 mm.
« Innoscience offre désormais aux concepteurs le choix entre la flexibilité ultime d’une solution discrète, et cette nouvelle approche intégrée, très compacte et simple à utiliser et à souder, tout en simplifiant l’implantation de l’étage de puissance », argumente Yi Sun, directeur général d’Innoscience America.
Selon le fabricant, l’ISG3201 permet de gagner jusqu’à 20% de place sur le circuit imprimé par rapport aux conceptions GaN discrètes, et jusqu’à 73% par rapport aux solutions traditionnelles en silicium.
L’ISG3201 se caractérise par ailleurs par une capacité de courant permanent de 34 A, une charge de récupération inverse nulle et une résistance à l’état passant très faible. Grâce au haut niveau d’intégration, les parasites de la boucle de grille et de la boucle de puissance sont maintenus sous les 1 nH, afin de minimiser les pics de tension sur les nœuds de commutation.
L’ISG3201 convient aux convertisseurs abaisseurs de tension (buck) haute fréquence, aux convertisseurs demi-pont ou pont complet, aux amplificateurs audio classe D, aux convertisseurs LLC et aux modules de puissance.
Innoscience Technology prévoit de commercialiser cette année d’autres solutions GaN-on-Si intégrées de la gamme SolidGaN, en particulier d’autres circuits demi-pont avec différentes tensions nominales.
