Magnachip abaisse de 10% la résistance à l’état passant de ses Mosfet 600 V
Parmi les neufs modèles de Mosfet 600 V à diode de recouvrement rapide que vient de lancer le Coréen, celui référencé MMQ60R044RFTH affiche une Rds(on) de seulement 44 mΩ.
Alors que l’attention se focalise sur les semiconducteurs à grand gap (SiC, GaN), Magnachip Semiconductor continue d’enrichir et de perfectionner sa gamme de transistors Mosfet silicium à super-jonction (SJ Mosfet) lancée il y a 10 ans maintenant et aujourd’hui écoulée à plus de deux milliards d’unités. Une stratégie qui peut s’avérer payante dans la mesure où le marché des Mosfet Si pour véhicules électriques et pour serveurs devrait croître respectivement de 11% et 7% par an en moyenne entre 2023 et 2026, selon le cabinet d’études Omdia.
© Magnachip Semiconductor
La dernière génération de SJ Mosfet 600 V fraîchement lancée par le fabricant coréen est ainsi constituée de neuf modèles dont la résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) a été réduite d’environ 10% par rapport aux modèles précédents. Ces composants sont par ailleurs équipés d’une diode de recouvrement rapide qui améliore de significativement l’efficacité du système avec un temps de recouvrement inverse (trr) et une perte de commutation réduits.
Au final, le facteur de mérite des derniers Mosfet 600 V de Magnachip a été amélioré de plus de 10 % par rapport à celui de la génération précédente. De quoi viser de multiples applications industrielles, telles que les onduleurs solaires, les systèmes de stockage d’énergie, les systèmes d’alimentation sans interruption, etc.
Parmi les neufs nouveaux composants proposés, c’est le modèle en boîtier TO247 estampillé MMQ60R044RFTH qui affiche la Rds(on) la plus faible, avec seulement 44mΩ, ce qui le destine aux véhicules électriques et ou aux serveurs. Encapsulés en boîtier TO247, TO220FA, DPAK ou SOT223, les autres modèles de la gamme présentent une résistance à l’état passant comprise entre 78 mΩ et 1 Ω, selon les versions.
Par ailleurs, Magnachip promet l’introduction de SJ Mosfet 650 V et 700 V avec diode de recouvrement rapide, au cours du second semestre 2023.
