Magnachip dévoile un IGBT 650V optimisé pour le photovoltaïque
Le Coréen a augmenté de 30% la densité de puissance de ses IGBT 650 V dédiés aux applications photovoltaïques, par rapport aux modèles de précédente génération.
Alors que le marché mondial des transistors IGBT dédiés aux énergies renouvelables ne cesse de croître (le cabinet d’études Omdia table sur une croissance de 15% par an entre 2022 et 2025), Magnachip espère prendre un part du gâteau avec le lancement d’une nouvelle gamme d’IGBT 650 V à destination des applications photovoltaïques.
La série MBQ75T65P, dont la production de volume débute ce mois-ci, exploite la technologie “field stop trench” du Coréen, censée augmenter la vitesse de commutation de ses transistors de puissance, par rapport aux IGBT conventionnels, tandis que leur densité de puissance est augmentée de 30%, si l’on compare aux IGBT de précédente génération de Magnachip.
Optimisés pour la commutation parallèle en raison de leur coefficient de température positif, les IGBT de la série MBQ75T65P sont dotés de diodes anti-parallèles pour une commutation rapide et une perte de commutation réduite, tout en garantissant une température de jonction de fonctionnement maximale de 175°C.
Encapsulés en boîtier TO-247 et conformes aux normes du Jedec, ces IGBT supportent un courant maximal de 75 A. A noter que le Coréen propose également la série MBQ40T120Q, des IGBT 1200 V également dédiés aux applications photovoltaïques. Eux aussi logés dans un boîtier TO-247, ils gèrent des courants jusqu’à 40 A.
