MOSFET de puissance canal-N 40V/45V à faible résistance à l’état passant | Toshiba
Toshiba Electronics Europe étend sa gamme de MOSFET de puissance basse-tension canal-N de la série U-MOS IX-H avec de nouveaux produits 40V et 45V, offrant une résistance à l’état passant minime record et une vitesse élevée. Ces produits – neuf versions 40V et cinq versions 45V – sont conçus pour les applications industrielles et grand-public, notamment les convertisseurs DC-DC ou AC-DC et les alimentations à haut rendement, et les variateurs de vitesse.
Ces nouveaux MOSFET font appel au processus « trench » Toshiba basse-tension de dernière génération, U-MOS IX-H, pour offrir la résistance à l’état passant la plus faible du marché et une charge électrique en sortie très basse pour un fonctionnement rapide. Selon les modèles, la valeur de RDS(ON) (VGS = 10V) va de 0,80 mΩ à 7,5 mΩ.
La nouvelle architecture abaisse la valeur du facteur de mérite RDS(ON) * Qsw, et offre ainsi des performances de commutation d’un niveau surpassant celui des produits Toshiba actuels. Les pertes en sortie sont améliorées grâce à la réduction de la charge électrique en sortie, ce qui contribue à améliorer le rendement du système. En outre, les structures de cellules utilisées dans ces nouveaux MOSFET sont optimisées pour supprimer les pics de tension transitoires et le « ringing » (micro-oscillations) lors de la commutation, ce qui contribue à abaisser le niveau EMI (Electro Magnetic Interference) du système.
Les principaux boîtiers sont SOP-Advance 5 x 6 mm et TSON-Advance 3 x 3 mm. Tous ces nouveaux dispositifs supportent les commandes à niveau logique 4,5V.
Fabricant : Toshiba
Référence : U-MOS IX-H
