MOSFET miniature à haut niveau de protection ESD | Toshiba
Toshiba Electronics Europe (TEE) a lancé un double MOSFET à haut niveau de protection ESD (Electro Static Discharge, ou décharge électrostatique). Le nouveau SSM6N813R est destiné aux applications automobiles durcies. Il sera particulièrement adapté comme driver de LED de phare, une application qui nécessite une valeur de tension stabilisée élevée et un encombrement réduit.
Sa tension drain-source (VDSS) maximum de 100V assure au SSM6N813R de convenir aux phares à plusieurs LED, et cette capacité est encore renforcée par le niveau d’immunité ESD élevé du dispositif. Le composant offre une dissipation maximale de 1,5 W et un très bon rendement énergétique, grâce à une résistance à l’état passant RDS(ON) de seulement 112 mΩ. Le courant de drain (ID) peut monter jusqu’à 3,5A.
Ces doubles MOSFET sont conditionnés en boîtier miniature TSOP6F de 2,9 x 2,8 x 0,8 mm, ce qui correspond à la taille d’un boîtier SOT23, soit 70% de moins qu’un boîtier SOP8.
Fabricant : Toshiba
Référence : SSM6N813R
