NXP booste le rendement de ses modules multipuces 5G grâce au GaN
Issus de l’usine américaine du Néerlandais inaugurée en septembre dernier, ces modules d’amplification RF voient leur rendement augmenter de 8 points par rapport à celui de ses précédentes générations de modules multipuces 5G.
NXP Semiconductors échantillonnera dès le troisième trimestre 2021 sa dernière génération de modules multipuces d’amplication RF dédiés à la 5G qui intègre pour la première la technologie de nitrure de gallium (GaN).
Tout droit issus de l’usine flambant neuve de NXP située à Chandler, en Arizona, et inaugurée en septembre dernier, ces modules de puissance RF pour architecture Massive MIMO combinent ainsi l’efficacité du GaN et la compacité des modules multipuces, deux atouts majeurs pour les infrastructures de réseaux mobiles.
Grâce aux GaN, les modules d’amplification 5G de NXP voient leur rendement atteindre 52% à 2,6 GHz, soit 8 points de mieux que pour les modèles de précédente génération en technologie LDMos.
Ces modules utilisent en fait une architecture combinant GaN et LDMos et délivrant une bande passante instantanée de 400 MHz qui rend possible la conception des radios large bande avec un seul amplificateur de puissance.
En associant ainsi rendement supérieur et large bande dans un module multipuce 5G compact, les développeurs pourront développer des unités radios moins encombrantes et plus légères permettant aux opérateurs de réseaux mobiles de déployer des équipements 5G potentiellement moins coûteux.
Ces modules, qui devraient être produits en volume d’ici la fin de l’année, sont compatibles broches à broches avec les précédentes générations proposées par NXP.
