Partenariat entre Onsemi et Innoscience sur le GaN de puissance
Cette collaboration permettrait une production mondiale de transistors de puissance en nitrure de gallium à grande échelle et à coût optimisé, afin de favoriser une adoption plus large par les marchés industriels, automobiles, télécoms, grand public et des centres de données d’IA.
L’Américain onsemi vient de signer un protocole d’accord avec le Chinois Innoscience en vue d’étudier l’extension de la production de semiconducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) grâce au procédé GaN sur silicium (GaN-on-Si) d’Innoscience qui exploite des tranches de 200 mm de diamètre.
Dans ce cadre, il s’agit d’associer l’expertise d’onsemi en matière d’intégration et d’encapsulation de puces, de pilotes et de conditionnement de tranches de GaN à la production à grande échelle du procédé GaN-on-Si d’Innoscience, afin d’accélérer une adoption plus large du GaN dans des applications telles que l’industrie, l’énergie, l’automobile, les télécoms, les équipements grand public et les centres de données d’IA.
© Innoscience
Ce protocole d’accord non contraignant inclut l’approvisionnement en wafers GaN-on-Si et une collaboration étendue pour cibler un marché total adressable estimé à 2,9 milliards de dollars à l’horizon 2030 pour les dispositifs de puissance GaN, selon le rapport Yole Power GaN 2025, qui estime que, dans cinq ans, le GaN devrait représenter 11% du marché mondial des semiconducteurs de puissance. Les deux entreprises s’attendent ainsi à générer une valeur potentielle de plusieurs centaines de millions de dollars. Le partenariat débutera par le développement et la production de puces GaN dans la gamme basse et moyenne tensions (40-200 V), dont l’échantillonnage est prévu au cours du premier semestre 2026.
« Face à la demande croissante en énergie dans tous les secteurs, le GaN offre un rendement supérieur, une taille réduite et des pertes d’énergie moindres par rapport aux autres matériaux semiconducteurs. Mais jusqu’à présent, dans les segments basse et moyenne tension, les contraintes de coût et d’approvisionnement ont limité son adoption à grande échelle, constate Antoine Jalabert, vice-président de la stratégie chez onsemi. Grâce à cette collaboration avec Innoscience, nous prévoyons d’accéder à la plus grande capacité de production de GaN du secteur et d’adapter rapidement notre offre à nos clients du monde entier afin de favoriser une adoption plus large dans les applications de puissance courantes. »
Rappelons qu’Innoscience a déjà passé un accord similaire avec STMicroelectronics plus tôt dans l’année, ce qui ne risque pas d’arriver avec Infineon, l’Allemand et le Chinois étant actuellement en plein litige concernant l’utilisation de brevets sur le GaN.
