Power Integrations lance la première technologie GaN 2200 V !

Cette avancée importante étend le champ d’application du GaN aux plages de tension traditionnellement couvertes par le SiC, offrant ainsi une alternative haute fréquence convaincante pour des applications telles que les centres de données d’IA, les véhicules électriques et les infrastructures HVDC.

Power Integrations vient de franchir une étape importante dans le développement de la technologie du nitrure de gallium (GaN) haute tension. Le Californien affirme en effet que sa technologie PowiGaN est désormais homologuée pour une tension allant jusqu’à 2200 V, dépassant largement les capacités de toutes les autres technologies GaN disponibles sur le marché. Cette avancée positionne la technologie PowiGaN comme une solution viable pour les centres de données haute tension, les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les infrastructures HVDC (High Voltage Direct Current), alors que ces secteurs adoptent des architectures de bus à tension plus élevée pour accroître leur densité de puissance.

© Power Integrations

« Notre technologie PowiGaN 2200 V offre une marge de tension substantielle pour les systèmes d’alimentation haute tension émergents, tout en permettant les fréquences de commutation élevées nécessaires pour maximiser la densité de puissance, explique Jennifer Lloyd, présidente et directrice générale de Power Integrations. Parmi les applications émergentes figurent les centres de données d’IA de nouvelle génération, pour lesquels les feuilles de route s’orientent vers des architectures de distribution à 1500 V, ainsi que les futurs systèmes d’alimentation auxiliaire et de batterie pour véhicules électriques fonctionnant à des tensions de sortie de plus en plus élevées. Cette avancée décisive étend le champ d’application du GaN aux plages de tension traditionnellement couvertes par le SiC, offrant ainsi une alternative haute fréquence convaincante pour des applications telles que le solaire, le transport d’énergie HVDC et la conversion de puissance industrielle avancée. »

Les commutateurs de puissance GaN remplacent progressivement les transistors silicium dans de nombreuses applications de conversion d’énergie, grâce à leur rendement et à leurs fréquences de commutation supérieurs. Mais cette technologie doit suivre l’évolution des feuilles de route des centres de données, des véhicules électriques, des énergies renouvelables et des infrastructures HVDC, qui exigent des tensions toujours plus élevées. Face à cela, les alternatives actuelles telles que carbure de silicium ou les assemblages de composants GaN basse tension empilés, imposent des compromis en matière de densité de puissance, de complexité ou de fiabilité.

Les circuits PowiGaN 1700 V de Power Integrations équipent déjà des applications d’alimentation auxiliaire à étage unique pour centres de données, tandis que la version 1250 V offre une alternative plus simple aux solutions empilées pour la chaîne de puissance principale des centres de données fonctionnant sur bus 800 Vdc.

« La transition vers des architectures de bus 800 Vdc dans les centres de données dédiés à l’IA redéfinit le paysage des semi-conducteurs de puissance. Jusqu’ici, la limite de tension du GaN l’écartait de la chaîne de puissance principale, laissant ce terrain au SiC. Une tension nominale de 2200 V change la donne : elle offre la marge nécessaire aux topologies à étage unique et pérennise les futures conceptions de centres de données et de véhicules électriques fonctionnant en 1500 V. Nous prévoyons que le marché des composants de puissance en GaN atteindra 3,5 milliards de dollars d’ici 2031 et que l’extension du GaN à ces applications haute tension constitue un moteur essentiel de cette croissance », a commenté Roy Dagher, analyste technologique et de marché, spécialiste des semi-conducteurs composés chez Yole Group.

Principales caractéristiques  :

• Première technologie GaN au monde homologuée jusqu’à 2200 V
• Dépasse les capacités de tension de toutes les autres technologies GaN du marché
• Étend le champ d’application du GaN aux plages de tension traditionnellement couvertes par le SiC
• Permet des fréquences de commutation élevées pour maximiser la densité de puissance
• Adaptée aux architectures de distribution à 1500 V des centres de données d’IA de nouvelle génération
• Applicable aux systèmes d’alimentation auxiliaire et de batterie des véhicules électriques
• Compatible avec les infrastructures photovoltaïques et de transport d’énergie HVDC
• Offre une architecture système plus simple que les solutions GaN basse tension empilées
• Complète la gamme PowiGaN existante (1250 V et 1700 V) pour les centres de données