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Relais miniatures pour matrices de commutation PXI | Pickering Electronics

Relais miniatures pour matrices de commutation PXI | Pickering Electronics

Pickering Electronics, spécialiste des relais reed, vient d’annoncer que sa série de relais reed 117 bipôle en boîtier SIL (single-in-line) était largement utilisée dans les grandes matrices de commutation grâce à ses caractéristiques conjuguées de miniaturisation, de performance et de coût.

Avec une tension de fonctionnement de 100 V, tous les modèles de la série 117 permettent de transmettre un courant de signal atteignant 0,5 A et de commuter une puissance de 5 W. Des versions sont proposées pour des circuits de commande de bobines sous 3 V pour les systèmes utilisant des tensions d’alimentation basses. Les dimensions de la version bipôle sont de 10,16 mm x 3,81 mm, contre 6,86 mm x 3,81 mm pour la version unipôle – soit 38% et 26%, respectivement, de la surface occupée sur une carte par des relais SIL standard.

La fabrication de la série 117 de relais reed s’appuie sur la technologie SoftCenter de Pickering Electronics qui prévoit l’incorporation d’un blindage magnétique intégral. Les relais ne subissent aucune interaction magnétique lorsqu’ils sont regroupés à proximité les uns des autres. Les caractéristiques conjuguées – miniaturisation, performance, prix – en font une solution idéale en grand volume dans les solutions PXI et d’autres matrices de commutation.

Pickering Interfaces propose ce type de solutions de test et de mesure, en intégrant très largement les relais reed de la série 117 dans nombre de ses produits, en particulier les modules pour grandes matrices PXI BRIC haute densité intégrées et évolutives, dotées d’un bus analogique hautement performant. Disponibles en versions 3U 2, 4 ou 8 emplacements (tension 150 V, intensité 1 A, puissance 20 W), ces unités s’appuient sur la série 117 de relais reed haute fiabilité, dédiés à l’instrumentation, pour obtenir les performances nécessaires aux applications les plus exigeantes (défense, automobile, fabrication de semi-conducteurs).

 

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