Renesas acquiert le Californien Transphorm, spécialiste du GaN, pour 339 M$
Dans son offre en solutions de puissance, le Japonais souhaite donner le choix à ses clients entre le silicium, le SiC et le GaN. Ce rachat comble en partie son manque dans ce dernier domaine.
A l’image d’un Infineon ou d’un STMicroelectronics, Renesas ne compte pas mettre tous ses œufs dans le même panier en ce qui concerne les semiconducteurs de puissance, et notamment ceux à grand gap. Après avoir annoncé l’an dernier la création d’une ligne de production de composants SiC et mobilisé deux milliards de dollars pour un accord d’approvisionnement en tranches SiC avec Wolfspeed au cours des dix prochaines années, le Japonais vient aujourd’hui de signer un accord en vue du rachat du Californien Transphorm, un spécialiste du GaN. La transaction en numéraire, évaluée à environ 339 millions de dollars, devrait être finalisée au cours du second semestre de l’année civile 2024.
Primit Parikh (à gauche), Pdg de Transphorm, et Hidetoshi Shibata, Pdg de Renesas – © Renesas
Renesas mettra ainsi en œuvre la technologie GaN qualifiée pour l’automobile de Transphorm pour développer de nouvelles solutions de puissance pour les groupes motopropulseurs pour véhicules électriques, mais également pour d’autres applications telles que les centres de données, les énergies renouvelables, l’industrie et les débouchés grand public (chargeurs/adaptateurs rapides).
« L’ajout de la technologie GaN de Transphorm s’appuie sur notre dynamique dans les domaines de l’IGBT et du SiC. Il alimentera et élargira notre portefeuille de solutions d’électronique de puissance pour offrir à nos clients la pleine capacité de choisir entre le silicium, le SiC et le GaN pour couvrir au mieux leurs besoins », argumente Hidetoshi Shibata, Pdg de Renesas.
Créé en 2007 et basé à Goleta (Californie), Transphorm dispose d’unités de fabrication sur place, ainsi qu’à Aizu, au Japon. Dans le GaN haute tension, la société propose des FET fonctionnant à 650 V et 900 V et développe des versions à 1200 V.
