Rohm fait le forcing en GaN de puissance
Le groupe japonais vient d’acquérir une licence de son partenaire de fonderie TSMC pour produire en interne des semiconducteurs de puissance à base de GaN à destination des serveurs d’IA et des véhicules électriques.
Rohm accélère en semiconducteurs GaN de puissance. Le groupe japonais vient en effet d’acquérir une licence de son partenaire de fonderie TSMC, qui lui permettra de produire en interne des puces GaN de puissance pour répondre à la demande croissante de certains secteurs tels que les serveurs d’IA et les véhicules électriques, qui voient dans le nitrure de gallium un moyen efficace de gagner en performances, tout en réduisant l’encombrement des étages de puissance.
Déjà utilisé dans des produits grand public tels que les adaptateurs secteur, le GaN gagne aujourd’hui les applications haute tension telles que les alimentations pour serveurs d’IA et les chargeurs embarqués pour véhicules électriques. Très tôt, Rohm a flairé le bon filon en mettant en place, dès mars 2022, une production de série de dispositifs GaN 150 V dans son usine d’Hamamatsu, avant de développer une offre GaN pour les applications de moyenne puissance en mixant production interne et collaborations externes.
C’est à ce moment-là que le Taïwanais TSMC est entré dans la danse : depuis 2023, Rohm utilise un procédé GaN 650 V du numéro mondial de la fonderie et en décembre 2024, les deux partenaires renforcent leur coopération en signant un accord pour développer et produire en volume des solutions d’électronique de puissance à base de GaN dans les applications automobiles.
© Rohm
L’accord de licence qui vient d’être signé marque donc une nouvelle étape de ce partenariat puisque que la production des semiconducteurs de puissance à base de GaN de Rohm exploitant la technologie de TSMC sera transférée dans l’usine du Japonais à Hamamatsu, avec une mise en service prévue en 2027.
Une fois le transfert de technologie finalisé, il est prévu que Rohm et TSMC mettent fin à leur partenariat dans le domaine du GaN pour l’automobile. Les deux entreprises continueront néanmoins de travailler ensemble pour développer des systèmes d’alimentation plus performants et plus compacts.
Pour l’heure, la gamme EcoGaN de composants de Rohm à base de nitrure de gallium a été adoptée dans des équipements grand public et industriels, tels que l’adaptateur secteur 45 W C4 Duo d’Innergie, une marque de Delta Electronics, en 2023, et les alimentations pour serveurs d’IA de Murata Power Solutions en 2024.
