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Rohm lance la production de volume de ses transistors GaN 150V haute fiabilité

Rohm lance la production de volume de ses transistors GaN 150V haute fiabilité

Le GNE1040TB est le premier transistor à haute mobilité électronique (HEMT) 150 V en GaN du Japonais affichant une tension de claquage de grille de 8 V au lieu 6 V habituellement, avec pour objectif de fiabiliser les transistors de puissance en GaN.

En mai 2021, Rohm annonçait le développement de transistors HEMT 150V en GaN dotés d’une tension de claquage de grille portée à 8 V au lieu 6 V habituellement pour ce type de composants. Le Japonais concrétise aujourd’hui cette annonce avec le lancement de la production de volume, sous la référence GNE1040TB, du premier modèle de cette gamme de transistors 150 V haute fiabilité.

Rappelons ici qu’en passant à une tension de claquage de grille de 8 V au lieu 6 V, cela permet de fiabiliser le composant, et donc d’améliorer l’acceptabilité des solutions en GaN dans le domaine de la puissance. En effet, avec une tension nominale de fonctionnement de 5 V, la marge de manœuvre est faible pour ne pas dépasser la tension de claquage de grille de 6 V habituellement rencontrée dans les HEMT en GaN, ce qui aurait pour conséquence d’endommager, voire de détruire le composant. En portant cette dernière à 8 V, Rohm triple la marge sur la tension d’entrée (3 V au lieu de 1 V), limitant ainsi grandement le risque d’endommagement du composant, même si l’on dépasse 6 V pendant la commutation. Cette marge plus confortable autorise également un fonctionnement du HEMT sans nécessiter un contrôle très précis de la tension de commande de grille, ce qui pouvait aussi représenter un frein à l’acceptabilité des solutions en GaN (pour davantage d’explications, cliquer ici).

Outre cette tension de claquage de grille portée à 8 V, le GNE1040TB se caractérise également par un courant drain-source de 30 A, une résistance drain-source à l’étant passant de 40 mΩ et une charge de grille de 2 nC. Il est encapsulé dans un boîtier CMS compact de type DFN5060 de 5 x 6 x 1 mm.

Le nouveau venu sera prochainement complété par deux autres modèles. Le GNE1015TB affichera un courant drain-source de 55 A, une résistance drain-source à l’étant passant de 15 mΩ et une charge de grille de 4,9 nC. Le GNE1007TB se distinguera quant à lui par un courant drain-source de 80 A, une résistance drain-source à l’étant passant de 7 mΩ et une charge de grille de 10,2 nC.

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