Rohm lance des Mosfet SiC plus efficaces à haute température
Le Japonais dévoile sa cinquième génération de Mosfet SiC dont la résistance drain-source à l’état passant est réduite d’environ 30% à haute température par rapport à la génération précédente. De quoi améliorer le rendement énergétique des véhicules électriques et des infrastructures énergétiques.
Rohm Semiconductor annonce le développement de Mosfet en carbure de silicium (SiC) de 5è génération, intégrés à sa gamme EcoSiC, destinés aux applications de puissance à haut rendement. Cette innovation intervient dans un contexte de forte croissance des besoins énergétiques, portée par l’essor de l’IA, des centres de données et de l’électrification des transports.
@ Rohm
L’augmentation de la densité de puissance dans les infrastructures numériques et industrielles accentue les contraintes sur les réseaux électriques, rendant essentielle la réduction des pertes d’énergie. Parallèlement, les véhicules électriques exigent une autonomie accrue et des temps de recharge plus courts, ce qui renforce la demande pour des composants de puissance plus performants.
Dans ce contexte, les Mosfet SiC de 5è génération de Rohm apportent une amélioration significative. Grâce à des optimisations de structure et de fabrication, ils disposent d’une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) réduite d’environ 30% à haute température (+175°C) par rapport à la génération précédente (voir illustration ci-dessous). Cette avancée permet de diminuer les pertes, d’augmenter la puissance de sortie et de réduire la taille des systèmes, notamment dans les onduleurs de traction pour véhicules électriques.
Pionnier du SiC avec une production en série lancée dès 2010, Rohm poursuit ainsi son rôle moteur dans l’adoption de cette technologie. Ses générations précédentes, notamment la 4è, ont déjà été largement adoptées dans l’automobile et l’industrie, soutenant la transition vers des systèmes énergétiques plus efficaces.
@ Rohm
Les nouveaux composants seront échantillonnés à partir de juillet 2026, sous forme de puces, composants discrets et modules. Rohm prévoit également d’élargir sa gamme avec différentes tensions et boîtiers, tout en renforçant ses outils de conception pour accélérer leur adoption.
Ces Mosfet SiC s’adressent à un large éventail d’équipements, tels que les onduleurs pour véhicules électriques, les chargeurs embarqués, les alimentations de serveurs IA, les systèmes de stockage d’énergie ou encore les équipements industriels.
Principales caractéristiques :
- Réduction d’environ 30% de la résistance drain-source à l’état passant à +175°C
- Diminution significative des pertes énergétiques
- Amélioration de la puissance de sortie à haute température
- Optimisation de la taille et de la densité des systèmes
- Adaptée aux applications de quelques kW à plusieurs centaines de kW
- Disponibilité en puces, composants discrets et modules
- Compatibilité avec les applications automobiles (xEV) et industrielles
- Conçue pour les environnements à forte densité de puissance
- Évolution d’une technologie déjà largement adoptée (génération 4 de Mosfet SiC de Rohm)
