Samsung Electronics investit 15 milliards dans un complexe de R&D en semiconducteurs
Samsung Electronics annonce un investissement de 20 000 milliards de wons (15,1 milliards de dollars) d’ici 2028 pour construire une installation de R&D avancée dans les semiconducteurs à Giheung, en Corée.
Samsung Electronics a inauguré hier les travaux de ce nouveau complexe de recherche et développement dans le but d’étendre son leadership dans la technologie des semiconducteurs. Le complexe couvre une zone d’environ 109 000 mètres carrés au sein de son campus de Giheung. La nouvelle installation mènera des recherches avancées sur les dispositifs et processus de nouvelle génération pour les mémoires et les circuits SoC (système sur puce).
La cérémonie d’inauguration des travaux a réuni le vice-président de Samsung Electronics Jay Y. Lee, le président et chef de la direction Kye Hyun Kyung, le président de Memory Business Jung-Bae Lee, le président de Foundry Business Siyoung Choi et le président de Samsung LSI Business Yong-In. Park, avec plus de 100 employés. Héritier et numéro un du groupe Samsung, Jay Y. Lee a bénéficié il y a semaine d’une grâce présidentielle, afin de « contribuer à surmonter la crise économique de la Corée du Sud ». Il avait été condamné pour corruption et détournement de fonds.
Une douzaine fabs de semiconducteurs en projet aux Etats-Unis
Fin juillet, la presse américaine avait également rapporté la demande d’autorisation de Samsung de construire une douzaine de fabs au Texas. Samsung, qui exploite déjà une unité de production de semiconducteurs à Austin et en construit une autre à Tayler, a déposé des demandes d’autorisation et de subventions pour une dizaine d’autres à Taylor. Ces usines, qui n’entreraient pas en service avant 2035, nécessiteraient au total plus de 200 milliards d’investissements. D’ici là…
Jay Y. Lee
