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SolarEdge et Infineon s’allient dans les architectures à 800 Vdc

SolarEdge et Infineon s’allient dans les architectures à 800 Vdc

Les deux entreprises étendent leur collaboration aux disjoncteurs à semi-conducteurs (SSCB) dédiés aux architectures à 800 Vdc des data centers IA. L’Américain développe la solution de protection SSCB tandis que l’Allemand fournit ses JFET en carbure de silicium.

L’essor des charges de calcul liées à l’IA pousse les centres de données vers des architectures de distribution électrique en courant continu à des tensions plus élevées, notamment à 800 Vdc. Cette évolution augmente les enjeux liés à la protection des infrastructures, qui doivent pouvoir interrompre très rapidement les défauts tout en maintenant rendement et sélectivité des protections.

C’est dans ce contexte que le groupe américain SolarEdge et Infineon étendent leur collaboration au développement de disjoncteurs à semi-conducteurs (SSCB). La solution vise la distribution électrique située entre le transformateur à semi-conducteurs (SST) et les racks de calcul, complétant ainsi l’architecture développée par SolarEdge depuis le réseau électrique jusqu’à la baie informatique. Dans le cadre de ce partenariat, SolarEdge pilote la conception des SSCB, tandis qu’Infineon fournit ses JFET en carbure de silicium (SiC), qui constituent le cœur de ces dispositifs de protection.

Shuki Nir, CEO de SolarEdge – © Infineon / SolarEdge

La distribution en courant continu présente des contraintes particulières par rapport au courant alternatif. En l’absence de passage naturel du courant par zéro, l’interruption mécanique peut provoquer des arcs électriques et limiter la vitesse de coupure. Les SSCB permettent au contraire d’interrompre un défaut en quelques microsecondes, sans nécessiter de séparation mécanique des contacts. Associés aux JFET CoolSiC d’Infineon, ils permettent de protéger les équipements critiques tout en permettant des systèmes de distribution plus compacts et à plus forte densité de puissance.

« Une infrastructure d’IA à haute densité fonctionnant à 800 Vdc exige une efficacité et une protection sans compromis, explique Shuki Nir, directeur général de SolarEdge. La protection à semi-conducteurs permet de concilier une isolation des défauts ultra-rapide et fiable avec des performances de conversion élevées. La technologie en carbure de silicium d’Infineon constitue un élément clé pour rendre cette solution viable à grande échelle. »

Cette collaboration prolonge le partenariat engagé autour de la plateforme SST de SolarEdge, annoncée en novembre 2025 et intégrant déjà des composants SiC d’Infineon. Cette plateforme vise à convertir directement une moyenne tension de 13,8 à 34,5 kV en 800 à 1500 Vdc, avec un rendement supérieur à 99%. Elle regroupe plusieurs étapes de conversion afin de réduire les pertes et l’encombrement.

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