ST choisit Catane pour implanter une unité de production de tranches SiC en 200 mm
Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics, a révélé en exclusivité à L’Usine Nouvelle sa décision de créer à Catane, en Italie, sa propre unité de production de tranches SiC de 200 mm, afin de couvrir 40% de ses approvisionnements d’ici 2024 pour la réalisation de semiconducteurs en carbure de silicium.
Le montant des investissements, financé en partie dans le cadre du plan de relance de l’Italie, représenterait plusieurs centaines de millions d’euros. Selon L’Usine Nouvelle, ST prévoit désormais que son activité dans le SiC atteindra le milliard de dollars de chiffre d’affaires dès 2024, à comparer à 550 M$ cette année et près de 300 M$ en 2020.
Rappelons que le 27 juillet (voir notre article), STMicroelectronics avait annoncé avoir fabriqué les premières tranches non épitaxiées en carbure de silicium (SiC) de 200 mm de diamètre destinées au prototypage de composants de puissance sur son site de Norrköping en Suède (anciennement chez Norstel, société suédoise acquise par ST en 2019). Actuellement, ST fabrique ses produits en carbure de silicium en grands volumes sur deux lignes de fabrication de 150 mm installées dans ses usines de Catane (Italie) et d’Ang Mo Kio (Singapour), les opérations d’assemblage et de test étant effectuées sur ses sites de Shenzhen (Chine) et de Bouskoura (Maroc). Les tranches de 200 mm augmentent la capacité de production avec une surface utile pour la fabrication de circuits intégrés près de deux fois supérieure à celle des tranches de 150 mm, ce qui permet de produire de 1,8 à 1,9 fois plus de puces fonctionnelles.
Wolfspeed (anciennement Cree), Onsemi (qui vient de reprendre GTAT), Infineon ou encore Rohm sont les principaux concurrents de ST sur le marché en devenir du carbure de silicium.
