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STMicroelectronics fait le forcing en substrats SiC

STMicroelectronics fait le forcing en substrats SiC

Le 27 juillet, STMicroelectronics a annoncé avoir fabriqué les premières tranches non épitaxiées en carbure de silicium (SiC) de 200 mm de diamètre destinées au prototypage de composants de puissance sur son site de Norrköping (Suède).

La transition vers des tranches SiC en 200 mm marque une étape importante pour renforcer les capacités de production pour les programmes des clients de ST dans les secteurs de l’automobile et de l’industriel, souligne le fabricant franco-italien pour qui cette technologie microélectronique de rupture permet de fabriquer des circuits électroniques de puissance à la fois plus compacts, plus légers et plus efficaces avec un coût total de possession moins élevé.

Les premières tranches SiC en 200 mm fabriquées par ST comptent parmi les premières disponibles sur le marché mondial et présentent une faible défectuosité obtenue grâce au savoir-faire et à l’expertise acquis par STMicroelectronics Silicon Carbide (anciennement Norstel, société suédoise acquise par ST en 2019) dans la technologie de croissance des lingots de carbure de silicium. Outre les défis liés à la qualité, la transition vers des substrats SiC de 200 mm requiert une évolution des équipements de fabrication, ainsi qu’une amélioration des performances globales de l’écosystème de support. En collaboration avec des partenaires technologiques couvrant l’ensemble de la chaîne d’approvisionnement, ST développe ainsi ses propres équipements et filières de fabrication SiC en 200 mm.

Actuellement, ST fabrique ses produits STpower en carbure de silicium en grands volumes sur deux lignes de fabrication de 150 mm installées dans ses usines de Catane (Italie) et d’Ang Mo Kio (Singapour), les opérations d’assemblage et de test étant effectuées sur ses sites de Shenzhen (Chine) et de Bouskoura (Maroc). Cette étape marque un jalon dans l’évolution prévue par la société vers la production en volume de plaquettes SiC de 200 mm plus avancées et plus rentables. Les tranches de 200 mm augmentent la capacité de production avec une surface utile pour la fabrication de circuits intégrés près de deux fois supérieure à celle des tranches de 150 mm, ce qui permet de produire de 1,8 à 1,9 fois plus de puces fonctionnelles.

Cette transition s’inscrit dans le cadre du plan en cours de ST visant à construire une nouvelle usine de substrats SiC et à assurer l’approvisionnement de plus de 40% de ses substrats SiC en interne d’ici 2024.

« Il est important de réaliser des économies d’échelle à mesure qu’augmentent les volumes de produits. La création d’un solide savoir-faire au sein de notre écosystème SiC interne d’un bout à l’autre de la chaîne de fabrication, c’est-à-dire des substrats SiC de haute qualité jusqu’à la production en front-end et back-end à grande échelle, renforce notre flexibilité et nous permet de mieux maîtriser l’augmentation du rendement de production et la qualité de nos plaquettes », souligne Marco Monti, président Groupe Produits Automobiles et Discrets de STMicroelectronics.

Cree | Wolfspeed accélère sa fourniture de tranches SiC de 150 MM à STMicroelectronics

Parallèlement, l’Américain Cree, un leader en technologie carbure de silicium à travers son activité Wolfspeed, va accroître son accord pluriannuel existant pour la fourniture à long terme de tranches en carbure de silicium à STMicroelectronics. Cet accord amendé, dans lequel Cree fournit à ST des tranches en carbure de silicium avec et sans épitaxie en 150 mm au cours des prochaines années, a désormais une valeur supérieure à 800 millions de dollars.

« Ce tout dernier accroissement de notre accord de long terme de fourniture de plaquettes conclu avec Cree continuera de contribuer à la flexibilité de notre approvisionnement global de substrats en carbure de silicium. Il continuera de contribuer de manière importante à notre approvisionnement global en carbure de silicium, complétant l’approvisionnement externe que nous avons sécurisé et nos capacités internes en phase de développement. L’accord aidera à répondre aux volumes élevés requis par nos opérations de fabrication de produits dans les prochaines années, avec un grand nombre de programmes clients des secteurs automobile et industriel en grands volumes ou en phase de montée en puissance », a déclaré Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics.

« Nous nous réjouissons que STMicroelectronics continue de tirer parti des matériaux en carbure de silicium Wolfspeed dans le cadre de leur stratégie d’approvisionnement pour les prochaines années », a ajouté Gregg Lowe, CEO de Cree. « Nos accords d’approvisionnements de tranches SiC de long terme représentent désormais au total plus de 1,3 milliard de dollars et aident à soutenir nos efforts visant à conduire la transition de l’industrie du silicium vers le carbure de silicium ».

Cree est un fournisseur de semiconducteurs de puissance et RF. Le portefeuille de produits Wolfspeed de Cree comprend des matériaux en carbure de silicium, des composants de commutation de puissance et des circuits RF conçus pour des applications telles que les véhicules électriques, les onduleurs à recharge rapide, les alimentations électriques, ainsi que les applications de télécommunications, militaires et aérospatiales.

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