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STMicroelectronics va qualifier les tranches SiC de 200 mm de Soitec

STMicroelectronics va qualifier les tranches SiC de 200 mm de Soitec

STMicroelectronics et Soitec annoncent la prochaine étape de leur coopération relative aux substrats en carbure de silicium (SiC) avec la qualification par ST de la technologie de production de substrats en SiC de Soitec.

L’objectif de cette coopération, qui porte sur les 18 prochains mois, est l’adoption par ST de la technologie SmartSiC de Soitec pour sa fabrication future de substrats de 200 mm de diamètre destinés à la production de produits et de modules, avec une production en volume prévue à moyen terme.

La transition des tranches de 150 mm à 200 mm  de diamètre va permettre d’augmenter la capacité de production de façon significative avec une surface utile pour la fabrication de circuits intégrés près de deux fois plus élevée et, par conséquent, de produire de 1,8 à 1,9 fois plus de puces par tranche.

« La transition vers des tranches SiC en 200 mm apportera des avantages substantiels à nos clients des secteurs de l’automobile et de l’industriel qui accélèrent la transition vers l’électrification de leurs systèmes et de leurs produits. Il est important de réaliser des économies d’échelle à mesure qu’augmentent les volumes de produits », a déclaré Marco Monti, président du groupe Produits Automobiles et Discrets de STMicroelectronics.

« Nous avons choisi un modèle d’intégration verticale afin de maximiser notre savoir-faire d’un bout à l’autre de la chaîne de fabrication, c’est-à-dire des substrats de haute qualité jusqu’à la production en front-end et en back-end à grande échelle. L’objectif de cette coopération technologique avec Soitec est de continuer à améliorer les rendements de production et la qualité », ajoute le dirigeant.

« L’industrie automobile traverse une phase de rupture majeure avec l’avènement des véhicules électriques. Notre technologie de pointe SmartSiC, qui adapte notre technologie unique SmartCut aux circuits intégrés en carbure de silicium, jouera un rôle clé dans l’accélération de leur adoption. L’association des substrats SmartSiC™ de Soitec à la technologie de pointe et à l’expertise acquise par STMicroelectronics dans le domaine des composants en carbure de silicium révolutionne la fabrication des circuits intégrés pour applications automobiles en établissant de nouveaux standards », a déclaré Bernard Aspar, directeur général adjoint de Soitec.

Le carbure de silicium (SiC) est un composé semiconducteur de rupture dont les propriétés intrinsèques assurent des performances et un rendement plus élevés que le silicium dans les applications de puissance clés à forte croissance, telles que l’électromobilité et les processus industriels. Cette technologie permet de convertir l’énergie avec une plus grande efficacité, de réaliser des designs plus légers et plus compacts, ainsi que de réduire le coût global de conception des systèmes — autant de paramètres et de facteurs décisifs pour le succès des systèmes automobiles et industriels.

SmartSiC est une technologie propriétaire de Soitec qui utilise la technologie propriétaire SmartCut du Grenoblois visant à découper une couche ultra-mince dans une tranche en SiC « donneuse » de haute qualité en vue de la transférer sur une tranche en carbure de silicium polycristallin (polySiC) de faible résistivité. Le substrat ainsi obtenu améliore les performances du substrat et les rendements de production. La tranche SiC « donneuse » de haute qualité peut être réutilisée plusieurs fois, ce qui réduit de façon significative la consommation d’énergie globale que requiert sa production.

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